德邦证券、山西证券等联合报告指出，中国存储芯片产业在2024-2025年迎来关键转折。长鑫存储（DRAM）DDR5已量产良率约80%，与韩国企业接近，预计2025年底达90%，全球DRAM市场份额从不到2%跃升至约10%，跃居全球第四大DRAM供应商，预计2025年底月产能扩至30万片（全球占比15%）。长江存储（NAND Flash）全球市场份额约8%，采用独特Xtacking技术实现232层堆叠，与海外龙头技术实力相当。存储芯片作为半导体行业“大宗商品”，国产化率提升对产业链安全意义重大，国产存储模组厂商（江波龙、德明利、佰维存储、朗科科技）有望随国产存储颗粒放量持续提升全球市场份额。

长鑫存储成立于2016年，是中国最大DRAM厂商。2023年11月推出LPDDR5系列产品，正式进军移动终端市场，在小米、传音等国产手机品牌完成上机验证。据韩媒报道，长鑫DDR5量产良率约80%（与韩国企业接近），预计2025年底达90%。产能布局：合肥Fab1专产DDR4（19nm，月产10万片），Fab2产DDR5（17nm，月产5万片）。快速产能扩张推动全球DRAM市场份额从三年前不到2%升至2024年约10%，跃居全球第四大DRAM供应商（仅次于三星、SK海力士、美光）。预计2025年底月产能扩至30万片（全球占比15%）。技术追赶方面，美光已率先量产1a工艺（12-10nm），SK海力士、三星处于同步水平，长鑫目前17nm工艺落后约两个技术节点，但差距正在快速收窄。

长江存储采用独特Xtacking技术（晶栈）实现232层3D NAND堆叠，与海外龙头（三星、SK海力士、铠侠、美光）技术实力相当，在小米、传音等国产供应链中大批量验证使用。2023年NAND Flash市场三星和SK海力士共占49.5%，铠侠21.6%，美光10.3%，长江存储约8%（2024年预计）。NAND Flash制程极限为10-12nm，主要技术为3D堆叠，堆叠层数是衡量技术标准。SK海力士已完成128层4D NAND芯片验证准备商业化，长江存储232层技术处于国际主流梯队。受美国出口管制影响设备获取受限，但Xtacking技术差异化路径保障了持续迭代能力，在中低端存储市场和国产替代领域保持竞争力。

2022年全球内存模组市场金士顿78.12%位列第一，中国大陆厂商记忆科技3.78%、嘉合劲威2.88%、金泰克2.33%合计约9%。全球SSD模组厂自有品牌市场金士顿28%第一，中国大陆厂商雷克沙（江波龙收购）8%、金泰克8%、朗科6%、七彩虹5%合计达27%。国产存储模组厂商通过多业务布局形成产业链协同——江波龙布局上游SLC NAND芯片和主控芯片及封测；德明利因自研主控毛利率领先；佰维存储构建封测一体化经营模式；朗科科技布局封测产业。随着长鑫和长存产能持续释放，国产存储颗粒成本下降+供应稳定性提升，国产模组厂商在全球市场份额有望从目前的9%-27%水平进一步提升，国产替代空间广阔。

AI带来新兴存储芯片HBM（高带宽内存）需求爆发，HBM以DRAM通过先进封装与GPU整合，大幅提升内存带宽。SK海力士在全球HBM市场占据领先地位，三星、美光加速追赶。据公开资料，长鑫存储目前已能量产HBM2e，与海外主流产品HBM3e落后约两个技术节点。2023年11月长鑫发布LPDDR5系列产品，但主流产品仍为DDR4，落后海外龙头一到两个技术节点。随着AI算力需求持续增长，HBM在AI服务器中的渗透率将快速提升，国产HBM的追赶进度直接影响国产AI芯片（华为昇腾、寒武纪、海光）的综合竞争力。存储芯片国产化进程与AI算力自主可控深度绑定，国产HBM的突破将是下一阶段关键看点。