国盛证券报告重点分析长电科技存储封测业务布局。公司扎根存储封测近20年，和全球前三大存储厂商合作密切，在中国、韩国均设有存储芯片封测基地。星科金朋韩国厂与存储封测渊源深厚，1998年收购现代电子（现SK海力士）半导体封测业务。公司封测服务覆盖DRAM、Flash等芯片，具备16层NAND Flash堆叠、35um超薄芯片制程能力。2025年1月完成收购晟碟半导体80%股权（收购对价6.59亿美元），进一步拓展先进闪存封测布局。Yole预测HBM市场2029年达440亿美元（CAGR 41%），存储封测国产替代空间巨大。

AI需求拉动存储封测市场高增。随着AI加速芯片不断更新换代，搭载的HBM总容量、带宽等规格持续升级。Yole预测HBM市场规模在2029年将达到440亿美元，2023-2029年CAGR达41%。3D NAND层数持续攀升，NAND市场规模2029年将达930亿美元，CAGR达16%。

存储封装技术从BGA/CSP向堆叠演进，集成密度指数级上升。随着对存储容量需求不断上升，封装形式从1995年的BGA/CSP向堆叠演变，2000-2015年间堆叠层数从4+层做到16层。在对传输速率要求提升后，封装向HBM转变，相较于最初的BGA/CSP，集成密度指数级上升，封装价值量同步提升。

HBM通过TSV硅通孔技术垂直堆叠多个DRAM，属于3D封装，与AI芯片合封于Interposer上属于2.5D封装。CoWoS及HBM产能是AI芯片出货核心制约环节，存储封测在AI产业链中的战略地位日益凸显。国内存储封测厂商有望受益于存储国产化和AI算力需求的双重驱动。

存储封装技术演进与价值量变化

时期	封装形式	堆叠能力	集成密度	价值量
1995-2000	BGA/CSP	单层	基础	低
2000-2015	堆叠封装	4层→16层	指数级上升	提升
2015-至今	HBM（TSV堆叠）	多层高带宽	指数级上升	高

长电科技扎根存储封测近20年，和全球前三大存储厂商合作密切。公司在中国、韩国均设有存储芯片封测基地，封测服务覆盖DRAM、Flash等各种存储芯片产品。16层NAND Flash堆叠、35um超薄芯片制程能力、Hybrid异型堆叠等均处于国内行业领先地位。

星科金朋韩国厂与存储封测渊源深厚。1998年星科金朋收购现代电子（现SK海力士）的半导体封测业务，2004年与现代电子新加坡星科金朋合并，2015年被长电科技收购，现为星科金朋韩国厂。这一历史渊源使长电科技在存储封测领域具备独特的技术积累和客户关系。

公司在圆片磨划、封装工艺、洁净度控制等环节均有成熟技术和先进设备支持。在测试环节拥有先进的测试系统和能力，能够向客户提供全套测试平台和工程服务，包括晶圆凸点、探针、最终测试、后测试和系统级测试，以更低的测试成本实现更优的解决方案。

2025年1月6日，长电科技完成收购晟碟半导体（上海）有限公司80%股权的第二笔收购款支付，收购对价调整为6.59亿美元。晟碟半导体成立于2006年，位于上海市闵行区，主要从事先进闪存存储产品的封装和测试，产品类型主要包括iNAND闪存模块、SD、MicroSD存储器等。

晟碟半导体经营稳健，资产优质。2022年总资产41.41亿元，营业收入34.98亿元，净利润3.57亿元，经营活动现金流10.10亿元。2023H1总资产43.62亿元，营业收入16.05亿元，净利润2.22亿元，经营活动现金流4.18亿元。

出售方母公司西部数据是全球领先的存储器厂商，自2003年起便与晟碟半导体深度合作。收购完成后，长电科技将深度绑定西部数据供应链，进一步扩大公司在存储及运算电子领域的市场地位和份额。预计2024-2026年运算电子业务营收分别为57/85/107亿元，其中存储封测贡献主要增量。

国内存储封测国产化率仍处于较低水平。全球存储封测市场主要由韩国和中国台湾厂商主导，长电科技通过收购星科金朋韩国厂和晟碟半导体，构建了国内最完整的存储封测能力。

存储国产化浪潮为封测环节带来增量需求。长江存储、长鑫存储等国内存储芯片厂商产能持续扩张，对先进封装测试需求日益增加。长电科技存储封测技术矩阵完善（16层堆叠、35um超薄等），具备承接国内存储芯片封测订单的能力。

存储封装向更高堆叠层数演进。HBM4预计将采用16层以上堆叠，对封装精度和散热提出更高要求。长电科技在存储封测领域的持续投入有望受益于存储技术升级带来的封装价值量提升。