2019年射频低噪声放大器全球市场格局-行业数据

射频低噪声放大器是用于最大限度地抑制噪声，提高信号接收质量的射频器件。无论是分立器件还是集成在射频模组中，5G 的高频段应用都对 LNA 提出了新的要求。LNA 的增益和噪声系数都需要提升以满足应用的要求。RF CMOS 是目前市场上非常成熟的一种工艺，具有非常好的成本优势，但性能优势不明显，只适合于低频段应用；SiGe 工艺可以使 LNA 在高频段实现更好的增益和噪声系数性能的基础上拥有较小的尺寸并且有较低的功耗；RF SOI 工艺不仅可以提高 LNA 的高频性能，还可以集成 LNA 和开关功能，从而在智能手机射频前端模块实现中发挥重要作用，因此该工艺下的 LNA 增速最快。LNA 的市场规模增长受到天线和射频通路的数量增多的影响，随着通信系统从 4G 向 5G 过渡，LNA 的数量需求迅速增加。根据 Yole测算，2020 年全球射频低噪声放大器收入为 12.04 亿美元，到 2025 年市场规模达到 23.2 亿美元，年均复合增长率将达到 14%。从市场格局来看，LNA 市场集中度相对分散，前五家份额占比相对平均，合计 51%，其中 Broadcom 占比最高，为 14%。