GaAs与Si工艺射频功率放大器对比-行业数据

射频前端厂商选用材料的主要考虑因素是材料的性能、成本和工艺成熟度。首先成本方面 CMOS 工艺的硅晶圆价格低廉，但版图面积比较大，再加上 CMOS PA复杂设计使得研发成本较高，CMOS 功放整体成本优势并不明显；其次性能方面，CMOS 功率放大器在线性度，输出功率，效率等方面表现较差，再加上 CMOS工艺固有的缺点击穿电压较低、基片衬底的电阻率较低等都使得硅基 CMOS 应用受到一定限制。而 GaAs 虽然晶圆成本相对较高（约 6000-8000 元/片），但其制备的功放在线性度、效率等方面都有较好的表现，成为目前射频功放的主流工艺。近年来来新型的锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)作为基于硅基工艺的一种新型器件，成本略高，但器件功耗低，一致性好，高频特性好，在噪声、效率、散热方面有优势，并且完全兼容硅基 CMOS 工艺，受到业界的广泛关注。