图47氮化镓(GaN)下游应用发展情况-行业数据

超前专利布局扫清 GaN 发展障碍。早在 2018 年科锐宣布与荷兰安世公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议，安世将有权使用科锐 GaN氮化镓功率器件专利组合，包括了超过 300 项已授权美国和国外专利，涵盖了 HEMT（高电子迁移请务必阅读尾页重要声明 20 率场效晶体管）和 GaN氮化镓肖特基二极管的诸多创新。