公司半导体ALD设备核心性能指标对比-行业数据

公司机台核心技术指标接近国际厂商水平，在 28nm High-K 介质层沉积实现国产突破。高介电常数（High-k）栅氧薄膜工艺是半导体先进制程中难度较大的工艺之一，公司设备在该环节已实现产业化应用，公司是国内首家成功将量产型 High-k ALD 设备应用于 28nm 节点 IC 制造产线的国产设备厂商。国内同业方面，公司与拓荆科技已产业化应用的 ALD 设备在技术原理和产业应用不同，公司 ALD 设备为 TALD，使用热反应原理，用于高 K 栅介质层的沉积；拓荆科技 ALD 设备为 PEALD，采用等离子原理，主要沉积介质薄膜，用于 SADP 工艺和 STI 工艺；国外同业方面，公司直接销售机型总体性能和关键性能指标已达到海外主要机型水平。