2025半导体先进封装设备与材料国产化进程、市场空间及核心企业分析报告（43页）.pdf

1、INDUSTRY REPORT 行业研究市场分析全景洞察2025深度行业分析报告2 0 2 5 半导体先进封装设备与材料国产化进程、市场空间及核心企业分析报告3先进封装设备与材料共发展先进封装设备与材料共发展国产主流算力客户先进封装解决方案国产主流算力客户先进封装解决方案/国际国际，板级封装发展成共识，板级封装发展成共识S S-CoWoSCoWoS逐渐取代逐渐取代L L-CoWoSCoWoS先进封装概述先进封装概述目录目录ZXOWoPtPrQoRmPsMyRnQmM9PcMbRnPnNoMsPkPpOpPiNnMsNbRoOzQuOnPxOMYqRmQ全球集成电路封装技术经历五个发展阶段4根据

2、中国半导体封装业的发展，迄今为止全球集成电路封装技术一共经历五个发展阶段。当前全球封装行业的主流技术处于以CSP、BGA为主的第三阶段，并向以系统级封装（SiP）、倒装焊封装（FC）、芯片上制作凸点（Bumping）为代表的第四阶段和第五阶段封装技术迈进。自20世纪70年代起，目前集成电路封测技术已经发展到第五阶段，核心技术包括微电子机械系统封装（MEMS）、晶圆级系统封装-硅通孔（TSV）、倒装焊封装（FC）、表面活化室温连接（SAB）、扇出型集成电路封装（Fan-Out）、扇入型集成电路封装（Fan-in）、多维异构封装（2.5D、3D）等。图表：集成电路封装技术发展五大阶段图表：集成电路

3、封装技术发展五大阶段资料来源：甬矽电子公告，方正证券研究所阶段阶段时间时间封装封装具体典型的封装形式具体典型的封装形式第一阶段20世纪70年代以前通孔插装型封装晶体管封装（TO）、陶瓷双列直插封装（CDIP）、塑料双列直插封装（PDIP）第二阶段20世纪80年代以后表面贴装型封装塑料有引线片式载体封装（PLCC）、塑料四边引线扁平封装（PQFP）、小外形表面封装（SOP）、无引线四边扁平封装（PQFN）、小外形晶体管封装（SOT）、双边扁平无引脚封装（DFN）第三阶段20世纪90年代球栅阵列封装（BGA）塑料焊球阵列封装（PBGA）、陶瓷焊球阵列封装（CBGA）、带散热器焊球阵列封装（EBGA

4、）、倒装芯片焊球阵列封装（FC-BGA）晶圆级封装（WLP）芯片级封装（CSP）引线框架CSP封装、柔性插入板CSP封装、刚性插入板CSP封装、圆片级CSP封装第四阶段20世纪末开始多芯片组封装（MCM）多层陶瓷基板（MCM-C）、多层薄膜基板（MCM-D）、多层印制板（MCM-L）系统级封装（SiP）三维立体封装（3D）芯片上制作凸点（Bumping）第五阶段21世纪前10年开始微电子机械系统封装（MEMS）晶圆级系统封装-硅通孔（TSV）倒装焊封装（FC）表面活化室温连接（SAB）扇出型集成电路封装（Fan-Out）扇入型集成电路封装（Fan-in）多维异构封装（2.5D、3D）16501

5、93722742891367739845992924012095184452457005,00010,00015,00020,00025,00030,00090nm65nm40nm28nm20nm 16/12nm 10nm7nm5nm3nm2nm摩尔定律逼近极限，先进封装成为突破性能瓶颈的重要方向5随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，传统芯片制程微缩面临多重挑战，工艺制程受成本大幅增长和技术壁垒等因素上升改进速度放缓。先进封装在不依赖制程工艺提升的前提下，可实现芯片高密度集成、体积微型化以及成本降低等显著优势，成为突破性能瓶颈重要方向。资料来源：Digitimes，Techovedas，甬矽电子公告

6、，方正证券研究所图表：头部厂商晶体管密度对比（亿个图表：头部厂商晶体管密度对比（亿个/平方毫米）平方毫米）图表：台积电不同制程晶圆售价（美元图表：台积电不同制程晶圆售价（美元/片）片）发展方向发展方向相关说明相关说明代表性技术代表性技术向上游晶圆制程领域发展（晶圆级封装）为了在更小的封装面积下容纳更多的引脚，先进封装向晶圆制程领域发展，直接在晶圆上实施封装工艺，通过晶圆重构技术在晶圆上完成重布线并通过晶圆凸点工艺形成与外部互联的金属凸点。晶圆上制作凸点工艺（Bumping）、晶圆重构工艺、硅通孔技术（TSV）、晶圆扇出技术（Fan-out）、晶圆扇入技术（Fan-in）等。向下游模组领域发展（