功率半导体行业报告:IGBT供需结构改善碳化硅加速上车-250401(19页).pdf

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功率半导体行业报告:IGBT供需结构改善碳化硅加速上车-250401(19页).pdf

1、 请务必阅读正文之后的免责条款部分 1/19 行业研究|信息技术|半导体与半导体生产设备 证券研究报告 半导体与半导体生产设半导体与半导体生产设备行业研究报告备行业研究报告 2025 年 04 月 01 日 IGBT 供需结构改善,碳化硅加速上车供需结构改善,碳化硅加速上车 功率半导体功率半导体行业报告行业报告 报告要点:报告要点:1)IGBT 供需改善,或将进入回暖阶段。供需改善,或将进入回暖阶段。IGBT 出货量变价改善,24Q2回归正向增长,行业性衰退进入尾声,IGBT 价格自 24Q1 同比下滑幅度接近 30%,当前处于较为稳定状态,供需结构趋于平衡,IGBT 价格已经进入相对底部,供

2、需结构的改善或有可能带动 IGBT 价格进入回暖阶段及出货量的持续提升。2)中国中国 IGBT 自给率提升,碳化硅产能加速带动价格下滑自给率提升,碳化硅产能加速带动价格下滑。中国 IGBT厂商产能持续提升,但自给率水平相对较低,随着中国厂商扩产和技术突破,凭借不弱的性能表现和较高的性价比优势,自给率将逐步提高。2024 年碳化硅行业或将进入供过于求阶段,产能增速较需求增速更快。海外大厂产能方面,2025 年预计将成为 8 英寸衬底产能释放的重要节点,Wolfspeed、Rohm、Onsemi 均计划在 2025 年前后实现8 英寸 SiC 衬底的量产。中国产能方面,2024H1 产能较 202

3、2 年提升3 倍,虽目前主要产能仍以 6 英寸为主,但士兰微、三安光电等头部企业已开始进军 8 英寸。在产能集中释放、工艺持续优化及 8 英寸产线升级等因素下,市场由结构性紧缺转向供给过剩,推动碳化硅价格将持续下滑,中国产能释放快于全球水平,预计 2028 年将较全球均价形成 900-1000 元的显著价差。3)中低端车型提振中低端车型提振 IGBT 需求,需求,800V 平台渗透提平台渗透提升带动升带动 SiC 加速上加速上车车。2025 年新能源汽车销量和渗透率持续攀高,中低端车型受竞争激烈带动价格下沉,及智能驾驶下沉中低端车型市场,将有望带动 IGBT在汽车上的出货需求。随着 30 万以

4、上纯电动车型比重提升、400V 向800V 升级,叠加碳化硅整体成本持续下降,将推动碳化硅模组在中高端车型上的渗透率持续提升。未来随着碳化硅衬底产能和良率的提升,叠加8英寸衬底量产,成本持续下降,预计2026年碳化硅模组与IGBT模组的价差从 2-3 倍收窄至 1.5 倍以下,届时将有望打开规模化应用空间。建议关注建议关注 斯达半导、时代电气、士兰微、华润微、三安光电、捷捷微电、扬杰科技、新洁能、东微半导 风险提示风险提示 上行风险:上行风险:下游景气度加速提升;IGBT 价格加速回暖;各厂商产能释放加速。下行风险:下行风险:产品价格持续下滑;各厂商产能释放不及预期;其他系统性风险。推荐推荐|

5、首次首次 过去一年市场行情 资料来源:Wind 相关研究报告 国元证券行业研究-电子行业周报:GTC 未超预期英伟达股价承压,CSP 资本开支提升 AI 基建逻辑不变2025.03.23 国元证券行业研究-电子行业周报:订单落地刺激军工电子,FSD 国内表现不佳国产智驾受益2025.03.16 报告作者 分析师 彭琦 执业证书编号 S0020523120001 电话 021-51097188 邮箱 -19%-1%16%34%52%4/16/309/2812/273/27半导体与半导体生产设备沪深300 请务必阅读正文之后的免责条款部分 2/19 附表:重点公司盈利预测附表:重点公司盈利预测 公

6、司代码公司代码 公司名称公司名称 投资评级投资评级 昨收盘昨收盘(元)(元)总市值总市值(百万元)(百万元)EPS PE 2023A 2024E 2025E 2023A 2024E 2025E 603290 斯达半导 增持 89.12 21341.48 5.33 2.61 3.54 33.96 34.10 25.16 600460 士兰微 未覆盖 24.39 40586.71-0.02 0.05 0.28-1219.50 487.20 88.27 688396 华润微 未覆盖 45.24 60057.43 1.12 0.59 0.87 39.88 80.50 52.25 688187 时代电气

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