2021年存储产业现状与未来趋势分析报告（39页）.pdf

1、1980 年代，日本DRAM 厂商后发先至，进入增长爆发期举国体制，日本 VLSI 联合研发成功，日本半导体产业技术快速进步。1976 年日本 VLSI 联合研发体成立，设立了 6 个实验室，从高精度加工技术、硅结晶技术、工艺处理技术、监测评价技术、装置设计技术等方向入手，成功攻克了包括电子束光刻机、干式蚀刻装置等半导体核心加工设备，以及领先的制程工艺和半导体设计能力。在VLSI 项目的推动下，日企1977 年研制成功64K DRAM，已成功赶上美企 DRAM 研发进度。随后日本 DRAM 产业进入增长爆发期。1983 年日本 DRAM 内存在美国市场大获成功，当时主流提供 256K 内存公司

2、中，日本企业有富士通、日立、三菱、 NEC、东芝等多家，而美企仅有摩托罗拉，而仅 NEC 九州工厂的 256K DRAM月产量，就高达 300 万块。1984 年，日立生产的 DRAM 内存已开始采用 1.5um生产工艺，三菱甚至公开 4M DRAM 关键技术。到 1986 年，仅东芝一家，每月 1M DRAM 产量就超过 100 万块。“低价优质”日本产品横扫美国市场，Intel 含恨退出。到 1980s 年代中期，日本厂商的 DRAM 产品技术领先，产品质量更好而价格却更低，几乎横扫了美国市场。截至 1986 年，日本存储器产品的全球市场占有率上升至 65%，而美国则降低至 30%。198

3、5 年，陷入泥潭的 Intel 不得已宣布退出 DRAM 市场。1990 年代，韩国DRAM 产业扭转乾坤，乘家用PC 之风而起飞韩国政府重视半导体产业投入，初期研发进展落后于日本。其实早在日本启动VLSI 研究项目的同时(1976 年)，韩国政府已在龟尾产业区建立韩国电子技术研究所(KIET)，分为半导体设计、制程、系统三大部门，并都交由从美国半导体产业回来的技术专家负责，大量招收美国归来的韩系工程师，集中研发集成电路关键技术。但直到日本 DRAM 厂商受到打压，韩国半导体企业才真正获得良机。日美关系转变，日本 DRAM 产品性价比大幅下降。1985 年美国里根总统开启了第二届任期，而随着美

4、国与苏联的冷战威胁减弱，以及美国政府赤字急剧增加，美国政府对日本经济的扶持政策发生了转变，日美贸易摩擦逐步增加，1985年美国主导的广场协议开启了日元升值之路，美国半导体协会也发起了对日本半导体等产品的反倾销诉讼，而后达成了对日本半导体产品的价格监督协议。上述种种，直接导致日本 DRAM 产品价格大幅提升，产品性价比快速下降，这给了韩国半导体产业可乘之机。家用 PC 需求爆发，韩厂成功切入，成为 DRAM 市场领先企业。1970 年代中后期开始，韩国三星，LG、现代和大宇等财阀，通过购买、引进 DRAM 技术专利及加工设备，对其进行消化吸收并在此基础上持续投入研发，以追赶技术差距。直到 1980 年代后期，家用 PC 电脑兴起，且产品换机时间大幅缩短为3-5 年，普通消费者对价格敏感，而对使用寿命要求不高，且日本半导体产品受到美国压制，韩国 DRAM 产品才得以逐步扩大市场份额。1992 年，三星率先攻破技术壁垒，推出世界第一个 64M DRAM。此后，三星继续提高研发投入，到 1996 年又开发出第一个 1GB DRAM。三星电子 DRAM芯片出口额达到 62 亿美元，位居第一;现代电子居世界第三。截至 2000 年，占 DRAM 份额前五的韩厂有两家，分别为三星和现代，其中三星占 23.00%，位居第一;现代占 19.36%，位居第三，韩厂领导 DRAM 市场。