HBM行业深度：驱动因素、市场现状、产业链及相关公司深度梳理-231127（30页）.pdf

1、 1/30 2023年年 11月月 27 日日 行业行业|深度深度|研究报告研究报告 行业研究报告 慧博智能投研 HBM行业深度：驱动因素、行业深度：驱动因素、市场现状市场现状、产业、产业链及相关公司深度梳理链及相关公司深度梳理 在冯 诺依曼计算机体系结构中，存在着“内存墙”和“功耗墙”问题，由于传统显存 GDDR5 面临着带宽低、功耗高等瓶颈，2013 年，SK 海力士与 AMD 联合开发了全球首款 HBM产品。凭借 TSV 和 2.5D 封装技术，HBM 实现了普通存储 8.5 倍的带宽，有效解决了内存墙问题。目前，算力要求推动了 HBM 等新型存储器超百亿美元新兴市场，进而提升 Bump

2、ing、TSV、CoWoS 等先进封装工艺需求，并带来设备及材料的增量需求。叠加国内自主可控需求持续增长，国内存储及 HBM等催生的先进封装产业链发展空间巨大。接下来，我们会对 HBM行业进行深入分析。我们将首先从 HBM 的概念入手，进而具体探讨 HBM 的核心应用市场、行业发展历程、优势与不足、以及市场现状和趋势等相关方面。同时，我们将分析HBM 市场规模的快速增长为其产业链哪些环节带来了利好影响，并介绍重点布局企业，以期为大家对HBM 行业有更深入的了解和启发。目录目录 一、概述.1 二、AI 发展驱动 HBM 放量.4 三、市场现状及趋势.5 四、产业链分析.7 五、HBM 三大原厂生

3、产规划.20 六、相关公司.27 七、参考研报.30 一、一、概述概述 1、HBM 概念概念 HBM 是基于是基于 2.5/3D 封装技术的新型存储器，满足高带宽、高速度等需求。封装技术的新型存储器，满足高带宽、高速度等需求。HBM（High Bandwidth Memory）指高带宽存储器，是一款新型的 CPU/GPU 内存芯片，基于 2.5D/3D 封装技术将 DRAM Die垂直堆叠，具备高带宽、高速度等特点。DRAM Die 之间通过 TSV（硅通孔）的方式连接，逻辑控制单元对 DRAM 进行控制，GPU 和 DRAM之间通过 u Bump 和 Interposer（起互联功能的硅片）

4、连通。目前最先进的 HBM为第五代 HBM3以及第六代 HBM3E，封装的 DRAM Die 层数达到 12 层。2/30 2023年年 11月月 27 日日 行业行业|深度深度|研究报告研究报告 2、HBM 应用市场应用市场 HBM 目前最主要搭配目前最主要搭配 AI 的的 GPU 使用，训练型使用，训练型 AI 服务器是最主要的增量市场。服务器是最主要的增量市场。根据 SK 海力士，受益于 HPC、AI、CPU 等应用，HPC 市场复合增长率达到 40%左右，由于随着数据量呈指数级增长，以及 AI/ML 训练等高级工作负载的快速增长，预计 AI 服务器将是几年内 HBM 最大的下游市场。2

5、、发展历程、发展历程 历经多次迭代，性能多维提升。历经多次迭代，性能多维提升。HBM拥有多达 1024 个数据引脚，显著提升数据传输能力。自 2014 年首款硅通孔 HBM产品问世至今，HBM 技术已经发展至第四代，HBM3 带宽、堆叠高度、容量、I/O速率等较初代均有多倍提升。HBM：2013 年 10月，JEDEC 发布了第一个 HBM 标准 JESD235A；2014 年 SK Hynix 和 AMD 宣布联合开发 TSV HBM 产品；2015 年 6月，SK Hynix 推出 HBM1，采用 4 2 Gbit 29nm 工艺 DRAM 堆叠，该芯片被用于 AMD GPU等产品。HBM

6、2：2018 年 11 月，JEDEC 发布了 JESD235B 标准，即 HBM2 技术，支持最多 12 层 TSV 堆叠；2018 年 Samsung 率先推出 Aquabolt（HBM2），数据带宽 3.7GB/s。SK Hynix 紧随其后推出 HBM2产品，采用伪通道模式优化内存访问并降低延迟，提高有效带宽。HBM2E：2020 年 1 月，JEDEC 更新发布 HBM技术标准 JESD235C，并于 2021 年 2 月更新为JESD235D，即 HBM2E；2019 年，三星推出 Flashbolt（HBM2E），堆叠 8 个 16 Gbit DRAM 芯片。SK Hynix 在