【东吴证券】半导体行业深度报告：功率密度跃升驱动800V DC架构升级，宽禁带功率器件打开成长空间-260722（24页）.pdf

核心数据速览： 英飞凌PFC 1MW器件用量：612颗（408颗1200V SiC + 204颗650V GaN）。 ROHM全SiC方案：372-600颗/MW。 Navitas LLC 10kW：4颗650V GaN + 16颗100V GaN。 EPC板载DC/DC 6kW：48颗GaN（16颗150V + 32颗40V）。 SST成本结构：电力电子器件32%、高频变压器16%、直流电容16%。 台达SST效率：98.5%，占地仅为传统30%。 Enphase IQ SST：342个GaN功率单元，1.25MW。报告核心数据解读。第一阶段PFC——三厂商方案对比。| 厂商 | 单模块功率 | 高压整流支路 | 主动开关支路 | 1MW约需器件数 |||||||| 英飞凌 | 30kW | 1200V SiC MOSFET | 650V GaN双向开关 | 612颗 || ROHM | 20-33kW | 1200V SiC SBD | 750V SiC MOSFET | 372-600颗 || ST | 30kW | 1200V SiC SBD | 650V SiC MOSFET | 约400-600颗 |（数据来源：各公司官网、东吴证券研究所）。第一阶段LLC——原边方案对比。| 方案 | 原边器件 | 副边器件 | 特点 ||||||| Navitas 10kW | 650V GaN（三电平） | 100V GaN | 全GaN方案 || ROHM 15kW | 1200V SiC MOSFET | 低压Si MOSFET | 原边SiC直接耐压 || 英飞凌 6kW | 高压GaN | 中压GaN | 混合方案 |第二阶段板载DC/DC——三厂商方案对比。| 厂商 | 功率 | 原边器件 | 副边器件 | GaN总颗数 |||||||| EPC | 6kW | 150V GaN×16 | 40V GaN×32 | 48颗 || 英飞凌 | 6kW | 650V GaN | 40V Si MOSFET | 原边GaN || 瑞萨 | 3kW | 650V GaN | - | 原边GaN |（数据来源：各公司官网、东吴证券研究所）。SST两条技术路线对比。| 维度 | SiC级联路线 | 低压GaN级联路线 |||||| 代表厂商 | Microchip、Amperesand | Enphase || 核心器件 | 1200V/1700V/3.3kV SiC | 低压GaN（约300V） || 功率单元数 | 42个（1.4MW） | 342个（1.25MW） || 开关频率 | 较低 | 250kHz+ || 优势 | 单元少、系统相对简单 | 单元标准化、可热插拔 |报告独有数据价值——器件级与方案级颗粒度。第一阶段PFC三厂商方案完整对比：英飞凌（SiC+GaN混合612颗/MW）、ROHM（全SiC 372-600颗/MW）、ST（全SiC）。第一阶段LLC原边两类方案对比：1200V SiC直接耐压 vs 650V GaN三电平分压。高压BBU双向DC/DC器件位测算：瑞萨方案8个基础开关位（650V GaN）。第二阶段板载DC/DC三厂商方案完整对比：EPC（48颗GaN/6kW）、英飞凌（650V GaN+40V Si）、瑞萨（650V GaN）。第三阶段集中整流器器件选型：早期IGBT/晶闸管为主，中长期SiC替代。第四阶段SST两条路线完整对比：SiC级联（Microchip 42单元/1.4MW、Amperesand 5-10MW、ETH Zurich 10kV样机）vs GaN级联（Enphase 342单元/1.25MW）。SST成本结构拆解：电力电子器件32%、高频变压器16%、直流电容16%。谁需要这份报告？半导体与功率器件投资者：了解800VDC架构各阶段功率器件用量测算及SiC/GaN渗透节奏。AI服务器电源厂商：跟踪Sidecar、板载DC/DC、SST各阶段技术方案与器件选型。功率器件（SiC/GaN）产业链从业者：把握数据中心这一新兴应用场景的器件需求规模。数据中心基础设施决策者：理解800VDC架构演进路径及各阶段的技术经济性。FAQ。Q1：第一阶段Sidecar需要多少功率器件？以1MW为例：PFC环节英飞凌方案约612颗（408颗SiC+204颗GaN）；LLC环节以Navitas 10kW方案为参考需配置650V和100V GaN；高压BBU新增双向DC/DC开关位。Q2：为什么板载DC/DC是GaN渗透率最高的环节？板载电源空间受限，GaN可高频化大幅缩小无源器件体积。EPC 6kW方案用48颗GaN，英飞凌与瑞萨方案原边均使用650V GaN。Q3：SST的两条技术路线如何选择？尚未形成统一标准。SiC级联路线单元少但器件耐压高、成本高；GaN级联路线单元多但单元标准化、可热插拔、开关频率高。Q4：SST产业化面临什么制约？成本是核心制约——电力电子器件占32%、高频变压器16%、直流电容16%。随着SiC成本下降和规模化生产，SST成本有望逐步降低。Q5：800VDC架构的落地时间表是什么？英伟达计划2027年起推动落地。配套电源机架预计2026年Q3具备量产条件，台达Q4小批量交付。2027年新建数据中心渗透率接近40%，2030年达80%。完整PDF报告包含内容。以下为完整PDF报告的核心内容模块，下载后即可获取全部详细数据与深度分析： AI数据中心功率密度升级趋势图（英伟达平台代际演进）。 800VDC架构技术优势多维度对比（电流/铜耗/空间/能效）。 SiC与GaN功率器件典型功率-频率应用范围图。 800VDC供电架构四阶段演进路线图。 第一阶段Sidecar架构图及功率器件分布。 PFC模块三厂商方案对比（英飞凌/ROHM/ST）。 LLC模块原边/副边器件方案对比。 高压BBU双向DC/DC器件用量测算。 第二阶段板载DC/DC三厂商方案对比（EPC/英飞凌/瑞萨）。 第三阶段集中整流与直流保护系统架构。 第四阶段SST两条技术路线对比（SiC级联 vs GaN级联）。 SST成本结构拆解。 相关标的梳理。 风险提示。延伸阅读。如需了解行业趋势与战略洞察，可返回查看本报告深度分析页面。数据来源说明。本报告数据来源于东吴证券《半导体行业深度报告：功率密度跃升驱动800VDC架构升级，宽禁带功率器件打开成长空间》（2026年7月22日发布，分析师陈海进、研究助理郭雄飞）、SemiAnalysis、各公司官方公开信息等。