玻璃基板行业深度报告：后摩尔时代的底层技术跃迁-260630（27页）.pdf

1、证 券 研 究 报 告后摩尔时代的底层技术跃迁玻璃基板深度报告证券分析师任杰 A0230522070003宋涛 A0230516070001傅浩玮 A0230522010001郝子禹 A证券研究报告2投资要点：芯光共升级，把握核心趋势投资要点：芯光共升级，把握核心趋势芯光共升级催生玻璃基板产业革命。1）AI芯片：HBM堆叠功耗高；CoWoS（硅中介层）翘曲/散热等限制，3/2nm先进制程堆叠成本高、良率承压；2）光模块：1.6T升3.2T，FR4基板高频损耗大，热膨胀与高速不匹配；3）先进封测：硅中介层+TSV大尺寸限制、翘曲、材料利用率低、成本高。4大应用场景价值量突出。玻璃基板低高频损耗、

2、面板低成本、超大尺寸、热稳定优势突出。1）玻璃中介层：2.5D/3D封装，对标硅中介层CoWoS；2）玻璃芯基板：高端FCBGA，对标ABF有机载板；3）临时载板，作为GPU/ASIC与多颗HBM共封装的互连底座；4）光电共封装，集成光波导实现光电融合。近期海内外巨头纷纷布局、催化不断。1）台积电CoPoS在6月联合iBiden+群创验证；2）英特尔自研玻璃芯基板，康宁高端无碱玻璃原片；台积电CoPoS玻璃封装平台2028下半年量产，英伟达Feynman架构GPU为首波落地产品。3）5月京东方与康宁备忘录；京东方投约10亿 TGV试验线+玻璃基载板。4）康宁玻璃桥技术路线发布。产业化初期，成长

3、空间广阔。产业化节奏；2026中试、小批量验证；2027预计大幅资本开支：2028国内外链主方案确认开始量产；2030-2032渗透率大幅提升。玻璃基板产业升级需要五年以上维度，具有长期成长潜力和广阔的发展空间。价值量分布：原片与深加工均空间广阔。原片穿孔镀铜RDL封装封测。预计产业链价值分布由各环节壁垒决定，产业链卡位关键阶段的竞争力在于原有技术迁移。当前处于不断调试方案阶段，先发与后发企业你追我赶。建议关注原片企业力诺药包，旗滨集团、彩虹股份，戈碧迦，深加工企业长信科技，沃格光电，凯盛科技等；材料企业天承科技，艾森股份，江化微，雅克科技等；机械设备帝尔激光，英诺激光等。风险提示：技术路线变

4、革导致资本开支失效，技术良率与成本曲线改善不及预期，上游原片与关键设备的进口与专利约束，产业化节奏与需求兑现的不确定性，集中扩产下的价格竞争。0YVZvMpMzQqPoRoPtMqMoRaQbP8OmOnNoMpRlOqQtMjMqQoP7NpPyRvPtPuMuOnNoM证券研究报告3先进封装升级带动基板产业革命先进封装升级带动基板产业革命封装技术经历体系化演进：1D封装主要由通孔插装/引线键合，以DIP、TO等为代表；2D封装则主要为表面贴装/面积阵列，SOP、QFP等表贴以及BGA/CSP/FC等阵列互连；2.5D封装则是并排异构集成，在中介层上实现多芯片高密度互联，依赖RDL/TSV等

5、；3D封装主要为垂直堆叠集成，通过硅穿孔等实现芯片间三维互联。其中2000年后由WLP、SiP到2.5D/3D的“从二维到三维”成为先进封装主线，满足小型化、多I/O与高集成的性能诉求。芯光共升级催生玻璃基板产业革命。1）AI芯片：HBM堆叠功耗高；CoWoS（硅中介层）翘曲/散热等限制，3/2nm先进制程堆叠成本高、良率承压；2）光模块：1.6T升3.2T，FR4基板高频损耗大，热膨胀与高速不匹配；3）先进封测：硅中介层+TSV大尺寸限制、翘曲、材料利用率低、成本高。资料来源：IDTechEx（英文科技咨询公司），申万宏源研究图.先进封装发展历史维度1D2D2.1D-2.5D3D集成层级板级

6、封装（PCB+封装器件）封装级平面多芯片（MCM/PoP/Fan-Out Wafer/Panel）引入中介层（RDL/Si Interposer）垂直 Die 堆叠（TSV/Hybrid Bonding）核心技术主要依赖传统的PCB 板，芯片先封装成 BGA 等形式，再通过引脚或焊球焊接在主板上，是最基础的离散式集成。开始在同一块封装基板上集成多个芯片（MCM），或者通过 PoP 实现上下堆叠，提升了封装密度，但仍受限于平面空间。引入了中介层（Interposer）技术。裸片不再直接连基板，而是先连到带有精密走线的中介层上，再由中介层连到底层基板。其中硅中介层（Si interposer）能实