人工智能行业硅电容专题报告：MLCC进阶方案渗透率有望迅速提升-260615（10页）.pdf

1、请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容20262026年年0606月月1515日日硅硅电容专题报告：电容专题报告：MLCC进阶方案，渗透率有望迅速提升进阶方案，渗透率有望迅速提升行业研究行业研究 行业快评行业快评 计算机计算机 人工智能人工智能投资评级：优于大市投资评级：优于大市证券研究报告证券研究报告|证券分析师：熊莉021-S0980519030002请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容摘要摘要 MLCCMLCC潜在替代方案，渗透率有望迅速提升。潜在替代方案，渗透率有望迅速提升。随着GPU、HBM和AI加速器功耗快速攀升，传统MLCC与PCB级供电体系已经难以满足超高频、低电

2、压、大电流场景下的稳定供电需求。相对而言，硅电容具有密度高，低ESL等特点，可直接嵌入先进封装、光模块、硅中介层（Interposer）与GPU/HBM周边，实现更短的供电回路与更低的电压跌落，从而满足AI芯片不断提升的瞬态供电需求。与传统的多层陶瓷电容器（与传统的多层陶瓷电容器（MLCCMLCC）相比，它主要有四大优势。）相比，它主要有四大优势。1）容值密度高：1mm厚度的硅电容即可等效80层陶瓷层的有效电容面积（约3-4mm）；2）温度稳定性佳：125-150C基本没有温漂现象；3）老化较慢：老化速率为MLCC的1/10；4）尺寸较小：最低可以低至50微米。硅电容目前正处于从技术可行向大规

3、模量产的过度阶段。潜在市场空间广阔，潜在市场空间广阔，TAMTAM可达百亿级可达百亿级。根据QY Research测算，全球硅电容器市场预计将从2024年的10.65亿美元增长到2031年的18.15亿美元，2024年至2031年期间的年均增长率（CAGR）为7.90%。这一增长主要受到微型化电子设备以及高性能电容器需求增加的驱动。随着技术不断进步，对高效能、尺寸小巧的电容器需求逐渐增大，硅电容潜在市场发展空间可达百亿级。风险提示风险提示：AI落地不及预期、市场需求不及预期、行业竞争加剧。1ZVZxOtQpOoPuMqMpOuNqR9PcM6MnPrRtRpRfQmMtNlOpOsM8OnMr

4、RMYnPzQMYoPpN请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容图：硅电容体积厚度较小，可以与芯片封装在一起资料来源：Jean-Marc等-Silicon Capacitors for improved power efficiency and power density,from the grid to the chip（2026）-APEC2026-P16，国信证券经济研究所整理硅电容：MLCC潜在替代方案，渗透率有望迅速提升 硅电容（Silicon Capacitor）是一种采用先进半导体制造工艺在硅晶圆基板上加工而成的新型被动元器件。与传统的多层陶瓷电容器（MLCC）相比，它主要

5、有四大优势。1）容值密度高：1mm厚度的硅电容即可等效80层陶瓷层的有效电容面积（约3-4mm）；2）温度稳定性佳：125-150C基本没有温漂现象；3）老化较慢：老化速率为MLCC的1/10；4）尺寸较小：最低可以低至50微米。硅电容目前正处于从技术可行向大规模量产的过度阶段。MLCC潜在替代方案，渗透率有望迅速提升。随着GPU、HBM和AI加速器功耗快速攀升，传统MLCC与PCB级供电体系已经难以满足超高频、低电压、大电流场景下的稳定供电需求。相对而言，硅电容具有密度高，低ESL等特点，可直接嵌入先进封装、光模块、硅中介层（Interposer）与GPU/HBM周边，实现更短的供电回路与更

6、低的电压跌落，从而满足AI芯片不断提升的瞬态供电需求。图：村田3D硅电容示意图资料来源：村田，国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容图：不同直流电压下硅电容（Murata SiCap）和MLCC（X7R）的电容值变化资料来源：村田，国信证券经济研究所整理AI光模块与800V数据中心将全面拉动SiCap需求 数据中心的高性能服务器发热量巨大。传统大容量陶瓷电容在高温下容易出现电容值衰减问题。硅电容基于稳定的硅基材料，能够在高达150C甚至更高的温度下保持电容值稳定，确保供电网络的长期可靠性 先进封装（2.5D/3D）的空间要求体积更小，能够合封的电容。为了缩短供电路径