TGV玻璃基板行业动态报告：玻璃基板崛起赋能先进封装-260609（10页）.pdf

1、行业研究玻璃基板崛起，赋能先进封装玻璃基板：新一代先进封装材料。伴随摩尔定律演进趋缓，先进封装成为后摩尔时代芯片提升集成度与系统性能的核心路径。而传统有机基板在大尺寸集成中面临翘曲变形、布线密度受限及信号损耗等物理瓶颈。在此背景下，玻璃基板凭借低介电常数、低介电损耗、高平整度、高化学稳定性及与硅高度匹配的热膨胀系数等优异特性，逐步成为新一代先进封装介质。产业化加速：TGV中介层与TGV玻璃芯板两种方案并行。基于玻璃基板产生两种先进封装解决方案：替代TSV与替代IC封装基板。1）TGV中介层替代传统TSV中介层：Intel于年初NEPCONJapan展示结合EMIB封装与玻璃基板的实物样品，采用

2、双EMIB桥接结构，承载规模实现翻倍;台积电CoPoS方案采用TGV中介层路线，“化圆为方”提升基板利用率，2月交付试点产线设备，预计6月完成产线建设，28年启动量产；三星正积极测试将玻璃基板应用于下一代HBM4内存封装，提升堆叠密度与散热性能。2）TGV玻璃芯板替代传统IC封装基板：Intel全球商业化领先，1月出货全球首款搭载玻璃芯基板的Xeon6+ClearwaterForest服务器处理器；三星电机试产线已投入运行,4月开始向苹果供应AI服务器芯片“Baltra”的玻璃基板样品。此外，CPO光电共封装领域，玻璃基板因在宽光谱范围内的高透明性、低介电损耗、高尺寸稳定性以及良好的工艺兼容性

3、，近年来逐渐成为封装级光波导集成技术的首选材料。关键技术：TGV技术为核心，金属化填充与RDL决定电气连接质量。TGV核心工序包括原片制造、TGV通孔、金属化填充、RDL等。TGV玻璃通孔的制备是玻璃基板封装的核心工序。相比于传统的物理钻孔、激光直接消融、光敏玻璃等方法，激光诱导深度刻蚀工艺（LIDE）具备高深径比、加工精度和加工效率较高的优势，被认为是当前实现大尺寸、高密度TGV批量制造的最优技术路径。此外，TGV金属化填充与RDL技术主要实现通孔内部的金属化填充及表面的精细布线，是决定玻璃基板电气连接质量的关键。现状：海外步伐领先，国内加速追赶。受益于海外半导体巨头TGV技术储备更早，以及

4、康宁等优质玻璃原片供应优势，国外TGV进展领先。产业链看，1）原片：康宁、肖特、旭硝子等海外巨头占据绝大多数份额，国产替代加快突破。2）设备：包括激光设备、电镀设备等。根据公司公告，帝尔激光已实现晶圆和面板级TGV封装激光技术全面覆盖；东威科技已交付TGV电镀设备并成功验收。3）其他材料：包括刻蚀添加液（天承科技）、表面清洗剂(江化微）等。投资建议：当前TGV玻璃基板正处于从实验室基础研究向量产工程化跨越的历史性节点，且呈国外进度领先、国内加速追赶态势。建议紧町下游客户验证与量产线建设进度。建议关注上游原片环节凯盛科技、戈碧迦，设备环节帝尔激光、东威科技，其他材料天承科技、江化微；加工制造环节

5、京东方、沃格光电等。风险分析：TGV技术进度不及预期，AI资本开支放缓，行业竞争加剧，国产替代不及预期。非金属类建材买入(维持)1、玻璃基板一新一代先进封装材料玻璃基板主要应用于先进封装环节，归属半导体后道工艺范畴。(divcenter)图1：半导体后道工艺流程(/divcenter)后摩尔时代先进封装需求景气。根据摩尔定律，芯片上的晶体管数量每18至24个月翻一倍,但目前单靠做小晶体管提升性能的空间越来越小。华为提出韬定律，以时间缩微替代几何缩微，从各个层面逐渐压缩信号传播时间。目前真正能起到压缩的环节70%以上是先进封装。先进封装通过将不同功能的芯片立体集成，可以在不缩小制程的前提下，实现

6、性能、功耗、密度的三重跃升。根据YOLEGroup估计，先进封装市场规模将从2024年的460亿美元增长至2030年超过794亿美元，CAGR高达9.5%，其中AI于高性能计算需求为主要驱动力。先进封装带来了IC载板需求的增长，预计到2030年IC载板整体市场规模将增加到310亿美元，CAGR达8.1%_odot.目前主流的先进封装基板主要包括有机基板、陶瓷基板以及新兴的玻璃基板，传统有机封装基板正逐渐面临极限。玻璃基板作为一种新兴封装介质，具有优异的表面平整度、可调控的热膨胀系数（CTE）、优异的热稳定性以及极低的介电损耗，在高频信号传输和高密度互连应用中展现出显著优势，尤其适用于先进封装与