电力设备行业专题报告：玻璃基板行业观点更新AI引领封装升级关注TGV和电镀填孔核心工艺-260607（2页）.pdf

1、行 业 研 究 2026.06.07 1 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 电 力 设 备 行 业 专 题 报 告 玻璃基板行业观点更新：AI 引领封装升级，关注 TGV 和电镀填孔核心工艺 分析师 郭彦辰 登记编号：S1220523110003 张陆佳 登记编号：S1220525060003 行 业 评 级:推 荐 行 业 信 息 上市公司总家数 450 总股本(亿股)4,759.21 销售收入(亿元)15,516.16 利润总额(亿元)1,410.61 行业平均 PE 225.53 平均股价(元)33.93 行 业 相 对 指 数 表 现 数据来源：wind 方正

2、证券研究所 相 关 研 究 液冷行业观点更新：国内外渗透率双双提升，头部厂商突破在即 2026.05.22 分布式算力设施：万亿大模型参数的算力刚需，国内外共振放量在即2026.05.14 AI 电气设备：把握电源&液冷&配套电力设备机遇2025.02.23 效率绝对优势+产线兼容，迎接“背接触”时代2024.11.14 玻璃基板：玻璃基板：AIAI 算力与高端显示对现有材料物理极限的倒逼。算力与高端显示对现有材料物理极限的倒逼。AI 芯片迈向万亿晶体管时代，传统有机基板在高频传输、热稳定性及大尺寸扩展性上的瓶颈日益凸显；同时 Mini/Micro LED 显示对基板平整度、散热和微电路集成度

3、提出了远超 PCB 承载能力的要求。相较传统方案，玻璃基板具备核心材料优势：CTE 与硅芯片高度匹配，大尺寸封装翘曲较有机基板降低 50%以上；表面粗糙度可控制在 4nm 以下，支持 L/S2m 乃至 0.5m 级 RDL 制造；玻璃化转变温度超过 500，远超有机基板的 150200，适配高温工艺并为高功率芯片散热提供冗余；介电常数约 3.7 且介电损耗更低，可有效减少高频信号串扰；可适配面板化工艺，面积利用率优于硅片，成本与工艺复杂度显著低于 TSV 方案。这些本征优势使玻璃基板成为后摩尔时代封装材料升级的关键路径。玻璃基板的应用：显示先行，半导体提供主要增量。玻璃基板的应用：显示先行，半

4、导体提供主要增量。玻璃基板主要可应用于显示领域和半导体领域。显示领域，玻璃基板的核心价值在于解决 PCB 基板易翘曲、散热不足、分区精度受限等痛点。其中 Mini LED 背光是最成熟的应用方向，玻璃基方案正从高端电竞显示器向大尺寸电视渗透，中长期还将向 AR/VR 近眼显示和车载显示拓展。半导体领域是中长期空间最大的赛道，提供主要增量，可细分为先进封装与 CPO 光波导等方向。先进封装方面，玻璃基板在先进封装领域的产品形态包括玻璃中介层（interposer）、玻璃芯载板（substrate）等,有机载板在大尺寸封装中面临的翘曲控制、布线密度和信号损耗等物理瓶颈已难以突破，玻璃基载板替代逻辑

5、最为清晰，直接替换 ABF 有机芯层。英特尔于 2026 年 1 月发布全球首款搭载玻璃芯载板的商用 Xeon 6 处理器，验证了玻璃材料在封装载板层级导入量产的产业可行性，玻璃芯载板有望于 2028 年实现商用。CPO 光波导是玻璃基板在光通信领域最具潜力的增量应用,Nvidia Spectrum-X 已量产 CPO 交换机，玻璃光波导凭借优异的透光性和低光损耗，有望在 2027 年前后落地，成为 CPO技术从光电分封走向光电一体的关键材料支撑。玻璃基板工艺：玻璃基板工艺：关注关注 TGVTGV 与与电镀填孔电镀填孔两大核心环节两大核心环节。玻璃基板制造涵盖玻璃原片激光诱导PVD 种子层沉积

6、电镀填孔表面 RDL 布线后段检测环节。半导体封装用的玻璃原片对纯度、热稳定性要求更高。TGV 成孔精度、孔内无缺陷填充、铜层附着力、多层 RDL 对准精度是决定玻璃基板从中试走向量产的核心瓶颈。其中，种子层沉积、电镀填孔和 RDL 布线是最关键的工艺。磁控溅射（PVD）技术路线沉积的种子层薄膜纯度高、厚度控制精准、附着力强，且通过提高溅射功率及工艺气体配比，可显著提升高深径比（10）通孔中心区域的共形覆盖率。铜填充质量直接决定导通可靠性，TGV 电镀的核心难点在于实现无空洞、无缝隙的铜填充。精细重布线层支撑高密度互连，RDL 的线宽/线距精度和多层堆叠