2026年5月海外存储行业月度跟踪：存储现货价格止跌回升长协密集落地支撑估值重构-260523（10页）.pdf

1、存储现货价格止跌回升，长协密集落地支撑估值重构本报告导读：本月DDR4/DDR5现货价止跌回升，MLCNAND现货价涨幅持续扩大，在AI存储需求攀升、原厂产能倾斜、下游客户积极锁定长协供应的背景下，行业景气度持续向上。我们认为存储板块核心交易逻辑将从涨价/跌价预期的景气度博弈转向基于盈利确定性的重新定价，估值有望从周期峰值估值切换为具备长约支撑和现金流可见度的AI基础设施优质资产定价，推动行业估值中枢上行。投资要点：26Q1DRAM/NAND合约价涨幅创新高,预计26Q2通用DRAM合约价上涨58mathbf-63%，NAND合约价上涨70mathrm-75%。据TrendForce,26Q1

2、通用DRAM合约价上涨93-98%,NAND合约价上涨85.90%，预计26Q2通用DRAM合约价上涨5863%,NAND合约价上涨70-75%。AI数据中心投入持续支撑DRAM和企业级SSD需求，CSP加速签署长期协议锁定产能，供需失衡程度超预期。现货价格方面，DRAM现货价止跌回升，截至5月21日DDR48Gb/16Gb现货价较4月底下跌1.6%至上涨24.2%，5月初DDR516Gb/24Gb现货价止跌上涨2.8%/1.3%。NAND方面，4月底TLC/QLCNAND现货价较3月底下跌3%-6%，5月中MLCNAND现货价较4月同期上涨14-23%，原厂退出/减产导致MLCNAND供需缺

3、口扩大。4月韩国DRAM/NAND出口额同比增长超3倍/2倍,3月韩国半导体产/销量同比增长9.9%/7.5%。2026年4月韩国存储出口额269.7亿美元，同比增长278.0%，环比减少4.3%。其中DRAM出口额153.9亿美元，同比增长342.7%；NAND出口额16.7亿美元，同比增长288.1%。3月韩国半导体产量/销量/库存同比+9.9%/+7.5%/.16.8%，产销两旺，库存持续消耗。中国台湾主要存储产业链厂商4月营收增幅进一步扩大。中国台湾主要存储原厂、主控芯片厂及品牌/模组厂4月营收分别同比增长312.8%/231.1%/313.6%。模组厂威刚预计供需缺口延续至2027年

4、，原厂旺宏表示下半年产能利用率满载，下半年业绩有望逐季走高。5投资建议：本月DDR4/DDR5现货价格止跌回升，我们认为主要由于渠道商库存消耗后回归补库需求，26H2有望回归供需失衡下的价格上涨趋势。当前原厂持续将产能向AI服务器相关产品倾斜，虽然部分消费类终端需求面临下修风险，但由于供给受产能分配制约，价格有望延续上行。我们认为当前时点仍处于本轮上行周期中段,主要存储厂商在2027年上半年之前的有效产能增量有限，各细分品类合约价涨幅仍有上修空间；叠加下游大客户通过长期协议（LTA）锁定供应，原厂资本开支风险降低，盈利可预测性提升，周期振幅有望显著收窄，存储板块交易逻辑有望从涨价/跌价预期的景

5、气度博弈转向基于盈利确定性的重新定价，估值将从周期峰值估值切换为具备长约支撑和现金流可见度的优质AI基础设施资产的确定性溢价，推动行业估值中枢上行。建议关注受益于AI投资需求扩张、掌握定价权的DRAM原厂美光、SK海力士、三星电子;受益于NAND供给短缺、价格涨幅维持强势的闪迪、铠侠；受益于大厂产能退出的利基型存储厂商南亚科、旺宏、华邦电等。风险提示：技术发展不及预期风险；AI投资过热风险；宏观环境波动风险；地缘政治风险；供应链风险。相关报告1近期存储芯片价格趋势1.1DRAM：合约价延续高增，现货价止跌回升DDR3/DDR4合约价格:3月DDR34Gb合约价环比上涨36.4%,DDR44Gb

6、合约价环比上涨25.0%。据DRAMexchange，截至2026年3月底,DDR34Gb合约价格为7.50美元，环比2月上涨36.4%；DDR44Gb合约价为7.50美元，环比2月上涨25%；DDR48Gb/16Gb合约价为13.00/29.50美元，与2月持平。(divcenter)图1：DDR34Gb合约价格走势（美元）(/divcenter)DDR3/DDR4现货价格:DDR34Gb现货价较4月底上涨mathbf8.5%;DDR48Gb/16Gb现货价格止跌回升。据DRAMexchange,截至2026年5月21日，DDR34Gb现货价格为9.09美元，相比4月底上涨8.5%，2026