电子行业专题报告：AI驱动存储涨价行情延续长存长鑫本土产能扩张带动国产链机遇-260527（13页）.pdf

1、AI驱动存储涨价行情延续，长存长鑫本土产能扩张带动国产链机遇bullet存储芯片：AI服务器需求驱动，预计26Q2DRAM/NAND价格持续环比提升26Q1存储芯片价格速递：据Trendforce数据，26Q1季度AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，估算一般型DRAM合约价环比提升93%sim98%；估算NANDFlash合约价环比提升85%sim90%。26Q2存储芯片价格展望：据Trendforce数据，AI服务器需求支撑2026年第二季度存储器合约价上行，预估一般型DRAM(ConventionalDRAM)合约价格仍将季增58-63%，预计NANDFla

2、sh合约价格将季增70-75%。存储供给未来周期图更新：存储供给侧各原厂积极扩产HBM，2026年资本开支预计高于原计划美光：2026财年的资本支出预计大幅上调至250亿美元以上。SK海力士：2026年资本支出预期同比增幅超40%。三星：2026年预期资本支出约400亿美元，半导体支出同比增加20%。国内存储制造端进展：长江存储、长鑫存储均开启IPO进度条，未来产能计划持续扩张长江存储：开启上市辅导备案，产能持续提升。当前公司合计月产能约20万片，核心扩产项目武汉三期工厂为武汉集成电路产业第三个千亿级项目，原计划2027年量产，现提前至2026年下半年量产，新增月产能10万片12英寸晶圆，达产

3、后总月产能将提升至30万片。公司还规划再建两座全新晶圆厂，项目全部落地后晶圆总产能将较当前水平提升超100%。长鑫存储：IPO恢复审核，指引单季利润环比持续高增。长鑫科技现有合肥一期、合肥二期及北京三条12英寸生产线，长鑫拟募资295亿元，其中75/130/90亿元分别投向量产线技术升级改造/DRAM技术升级/动态随机存取存储器研发，预计2026年现有三厂产能全部达产。摘要：投资建议存储扩产+国产替代双轮驱动，设备材料迎来高景气兑现期。存储行业缺货预计延续至2027年，存储合约价涨势同样将延续，产业链公司业绩有望持续高增。风险提示：（1）下游需求不足风险：若宏观环境变化，下游需求不足，将影响公

4、司产品需求。（2）地缘政治风险：若美国对中国政策变化，可能会导致公司稳定经营受到冲击。（3）核心竞争力风险：半导体行业技术的发展和迭代速度较快，若产品无法满足客户需求，将可能对公司经营业绩造成不利影响。（4）估值风险：公司可能存在静态相对估值较高的风险。产业链核心上市公司相关标的如下：存储芯片：AI服务器需求驱动，预计26Q2DRAM/NAND价格持续环比提升26Q1存储芯片价格速递：据Trendforce数据，26Q1季度AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，估算一般型DRAM合约价环比提升93%sim98%；估算NANDFlash合约价环比提升85%sim90

5、%。从存储合约价看据Trendforce数据，（1）DRAM：估算26Q1季度一般型DRAM合约价环比提升93%sim98%；（2）NAND：估算26Q1季度NANDFlash合约价环比提升85%sim90%。从存储大厂看（1）SK海力士：26Q1季度，DRAMASP环比提升65%(mid-60%)，NANDASP环比提升75%(mid-70%)；（2）美光：FY26Q2季度，DRAMASP环比提升约65%(mid-60spercentage)，NANDASP环比提升约75%以上(high-70spercentage)。26Q2存储芯片价格展望：据Trendforce数据，AI服务器需求支撑2

6、026年第二季度存储器合约价上行，预估一般型DRAM(ConventionalDRAM)合约价格仍将季增58%，预计NANDFlash合约价格将季增70mathrm-75%。（1）DRAM：2026年第二季因DRAM原厂积极将产能转向HBM、Server应用，并采用“补涨”策略拉近各类产品价差，尽管终端市场面临出货下修风险，预估整体一般型DRAM(ConventionalDRAM)合约价格仍将季增58%。（2）NAND：NANDFlash市场持续由AI、数据中心需求主导，全产品线连锁涨价的效应不减，预计第二季整体合约价格将季增70%。(divcenter