电子行业存储产业链跟踪报告：长鑫状态更新业绩持续高增关注存储和上游产业链环节机遇-260518（3页）.pdf

1、 敬请阅读末页的重要说明 证券研究报告|行业简评报告 2026 年 05 月 18 日 无评级无评级（维持）（维持）存储产业链存储产业链跟踪报告跟踪报告 TMT 及中小盘/电子 评论：评论：1、长鑫科技长鑫科技 IPO 恢复审核，恢复审核，指引单季利润环比持续高增指引单季利润环比持续高增。长鑫科技 IPO 更新财报并恢复审核，长鑫 2025 全年营收 618.0 亿元，同比+155.6%，系产能爬坡释放叠加 DRAM 价格周期向上，公司主要 DRAM 产品ASP 同比+33.7%；毛利率 41.0%，同比+35.4pcts，主要得益于公司规模效应显现以及 2025 下半年 DRAM 价格快速上

2、涨；归母净利润 18.7 亿元，同比+90.2亿元，扣非净利润 53.2 亿元，同比+131.9 亿元。26Q1 营收 508 亿元，同比+719%；归母净利润 248 亿元，同比+263 亿元，扣非净利润 263 亿元，同比+277 亿元。高速增长主要系 DRAM 产品价格上涨延续叠加公司产销规模的持续增长。公司指引 26H1 营收 1100-1200 亿元，同比+612.5-677.3%，归母净利润 500-570 亿元。经测算 26Q2 营收 592-692 亿元，同比+552-662%/环比+16.5-36.2%，归母净利润 252-322 亿元，环比+1.92%-30.19%。2、长

3、鑫长鑫全球市场份额有所提升，募资用于扩产及技改升级全球市场份额有所提升，募资用于扩产及技改升级。长鑫科技现有合肥一期、合肥二期及北京三条 12 英寸生产线，持续进行产能建设及产品更新迭代，产能及产量均大幅提升，2025 年产能利用率和产销率分别为 25Q4 其 DRAM 全球市场份额约 7.67%，位列全球第四、中国第一。长鑫拟募资 295 亿元，其中 75/130/90 亿元分别投向量产线技术升级改造/DRAM 技术升级/动态随机存取存储器研发，预计 2026 年现有三厂产能全部达产。考虑到国内DRAM市场需求约25%以及公司现金流向好，公司产能规模有望持续提升；此外，长鑫表示由于漏电流、成

4、本等物理及商业化挑战，DRAM 平面架构演进逼近极限，4F垂直沟道晶体管和堆叠沟道晶体管架构有望突破扩展性极限。3、原厂扩产带动设备原厂扩产带动设备/材料材料/零部件放量，技术升级驱动代工及封测新增长点。零部件放量，技术升级驱动代工及封测新增长点。1）半导体设备）半导体设备/材料材料/零部件：零部件：国内存储原厂扩产趋势明确，国产率有望提升，随着工艺升级设备材料用量持续增加，同时有望带动相关零部件需求，关注卡位良好的公司。设备：设备：长鑫表示单座 DRAM 产线投资超百亿美元，随着制程升级设备投入进一步攀升，有望带动设备开支持续提升，预计存储产线扩产有望提速，国内设备技术水平持续突破，国产化率

5、将持续提升，前道及后道先进封装设备订单增长趋势明确。零部件：零部件：设备厂零部件库存或处于低位，随着存储设备订单向好有望向零部件厂商拉货，零部件订单及收入有望快速增长。材料：材料：长鑫主要材料采购占比持续提升，2025 年化学品/光阻剂/硅片/气体/靶材分别为 37.29%/12.16%/8.55%/5.10%/2.21%，国内材料产品工艺能力不断增强，随着产能突破瓶颈后收入利润有望持续增长。2）存储：持续看好本轮由AI 推理拉动的存储大周期，当前存储缺货持续加剧，供应很难在短时间内大幅增加，预计供需缺口或将持续至 2027 年甚至更久，存储合约价涨势同样将延续，产业链公司业绩有望持续高增。3

6、）代工）代工及封测及封测：存储若技术升级有望带动 CBA架构放量，同时存储作为算力核心构成，其扩产有望同步带动偏先进逻辑工艺产能提升；存储产品逐渐转向定制化，AI 推理驱动 HBF 等新品逐步开发以填补DRAM 与 SSD 之间性能空缺，其对先进封装也提出更高要求，随着存储定制化产品渗透率的提高及长鑫扩产带来的订单外溢，封测等环节将持续受益。行业规模行业规模 占比%股票家数（只）528 10.2 总市值（十亿元）19366.6 16.4 流通市值（十亿元）16181.4 15.3 行业指数行业指数%1m 6m 12m 绝对表现 19.0 41.0 93.7 相对表现 15.3 36.0 69.