科技行业专题研究：化圆为方~CoPoS突破先进封装横向发展极限-260507（17页）.pdf

1、化圆为方CoPoS突破先进封装横向发展极限华泰研究我们看好CoPoS与玻璃基板将成为下一代先进封装方案，据外媒TheElec报道，近期苹果内部开始测试三星提供的玻璃基板用于AI封装，台积电在26Q1法说会正式明确CoPoS进展，据Trendforce信息，台积电计划在台南嘉义建立首条CoPoS试点产线，并于2月份正式向团队交付设备，计划6月份完成整条产线建设。台积电已于2025年顺利完成CPO技术前期验证和技术储备，最快于2026年迎来量产，建议关注TGV等相关工艺环节设备公司发展机遇。大尺寸封装和高速率光引擎推动玻璃基板加速落地台积电4月22日于圣何塞论坛披露先进封装路线图：为满足英伟达、谷

2、歌、AMD等大芯片需求，计划将其封装面积从24年的3.3xReticle、2026年的5.5xReticle和27年的9.5xReticle分别提升至2028-2029年的14x倍Reticle，同时为突破CoWoS面积受限、成本高、翘曲大瓶颈，拟用方形玻璃基板替代圆形硅中介层，即CoPoS封装。随着数据中心迈向十万卡互联，CPO方案通过混合键合整合EIC/PIC模块，解决传统光模块高功耗、低带宽等痛点，借共封装将电信号缩至毫米级，而玻璃基板凭借高频信号低损耗、高TGV通孔密度、光电兼容、热稳定性高等优势成为替代有机基板的主流优选方案，我们看好玻璃基板成为1.6T及以上主流CPO核心载体。TG

3、V和RDL是CoPoS工艺关键，帮玻璃基板“打通神经”CoPoS需要全新设备、新型物料处理方式与全新良率积累过程。CoPoS工艺本质上是CoWoS技术的面板化延伸演进，TGV（玻璃通孔）通过改性、刻蚀、清洗、双面电镀、退火、CMP、PVD镀膜、光刻、重布线RDL、检量测等工艺实现在玻璃基板上制作垂直导电通孔，从而实现不同层面间的电气相连。此外重布线层（RDL）从单层进化到多层，金属层数翻倍，铜凸点间距缩小至5um，拉动直写光刻、刻蚀、薄膜、电镀等设备用量，同时工艺流程增加对AOI检测等测试设备需。预期差：CoPoS等玻璃基板需求空间与落地节奏或好于市场预期市场主要关注CoPoS封装即玻璃基板在

4、中介层替代上的落地进展，但我们认为玻璃基板凭借低信号损耗、高密度互联以及减缓翘曲问题的优势在IC载板以及CPO载板材料应用上均具备较大落地空间，TGV与RDL制造设备等相关产业链环节需求空间或高于市场预期，且市场主要考虑到CoWoS的中介层面积焦虑部分被进一步提高的CoWoSreticlesize上限所缓解，故认为玻璃基板将伴随CoPoS的量产在2028年及以后落地，但我们认为在IC载板替代和CPO载板等新兴应用上的进展或将加速玻璃基板应用落地快于市场预期。CoPoS技术可能重塑价值链分布，关注核心设备和材料新机遇CoPoS技术可能重塑价值链分布，传统OSAT厂商需要向上游材料领域延伸，而面板

5、制造商则可能向下游封装业务拓展。CoPoS工艺从底层材料（玻璃基替代硅中阶层）到加工设备（超快激光打孔、电镀、检量测等）实现对TSV技术的全面替代，带来相关材料及相关设备的增量需求。产业链相关公司包括：1）玻璃基板与上游材料：沃格光电、彩虹股份、美迪凯、戈碧迦、凯盛科技；2)设备：帝尔激光、大族激光、芯基微装、华海清科、ASMPT等；3）封装测试：汇成股份、顾中科技、晶方科技。风险提示：新技术研发进展不及预期，半导体周期下行风险，AI等新需求增长不及预期风险，本研报涉及的未上市或未覆盖个股内容，均系对其客观信息的整理，并不代表团队对该公司、该股票的推荐。CoPoS：先进封装新产业趋势突破尺寸极

6、限，CoPoS将成为继CoWoS后的下一代先进封装CoPoS作为CoWoS的下一代封装，长期替代趋势明确，预计2028年量产。CoPoS相较于CoWoS主要区别即在于中介层，CoWoS采用纯硅或LSI局部硅+RDL有机中介层，并在硅材料上通过TSV通孔实现互联，CoPoS即将中介层替换为玻璃材料，并通过TGV通孔实现互联，而中介层外的muBump以及IC载板无变化，通过中介层材料的替换来延展中介层面积，并提高互联密度。落地节奏上，台积电将CoWoS中介层上限由mathfrakg.5times提升至14xreticlesize之后，CoWoS的性能提升空间进一步拓宽，CoPoS替代的必要性或将推