1、存储及先进制程扩产提速,量增、利升双轮驱动核心观点:技术封锁升级,国产存储及先进制程替代提速,国内洁净室建设迎新一轮高景气。2026年4月2日,美国国会两党议员正式提出硬件技术控制多边协调法案(MATCH法案),要求美盟国于150天内在对华半导体设备出口上采取与美国相同的限制措施。2018年以来,美对华半导体限制从单点企业制裁逐步升级为设备、EDA、先进制程、投资等系统性遏制。与此对应,我国通过资金、政策多维支持,半导体国产替代加速推进。复盘看,国内半导体洁净室建设需求经历三轮景气上行。第一轮:2016-2020年,“两存”成立,中芯国际持续扩产、启动存储与先进代工“从0到1”建厂潮。2016
2、年,长江存储成立,开始分三期建设国家存储器基地项目(总投资240亿美元)。长鑫科技于2016年成立,2017年宣布投资72亿元建设12寸晶圆厂。第二轮:2020-2023年,先进制造受封锁后,本土晶圆代工CAPEX高景气。2020年,中芯国际CAPEX大幅抬升至372亿元,到2023年达539亿元,推动中芯京城、中心深圳、中芯南方等多个项目建设。第三轮:2024年以来,AI带动HBM需求高增,全球存储芯片供应短缺逐步显现,海内外存储市场迎来新一轮扩产周期。高洁净等级洁净室工程服务具备低容错率、强客户粘性、高端服务稳定供给的特征,国产替代提速、扩张,有望带动高洁净等级建设需求量增利升。作为半导体
3、行业CAPEX核心环节之一,洁净室工程具有三大特征:1.低容错率:芯片制造对于洁净度、温湿度控制、AMC控制、微震动控制具有严格要求,业主对于洁净室工程质量和速度具有高要求;2.强客户粘性:高工程技术难度下,业主通常选用技术成熟、经验丰富、相互了解的长期合作供应商;3.高端服务稳定供给:洁净室工程核心在于成熟专业工程师与现场经验沉淀,培养周期较长,建设产能增长较慢。本轮国内存储扩产周期下,我们预计国内洁净室工程服务市场有望发生三重变化:1.订单、营收增长:洁净室工期短、订单结转快,本轮存储芯片扩产有望滞后1年左右反映为洁净室企业营收增长。2.竞争烈度下降带动毛利率提升:短期供给难以放量叠加优先
4、内资工程服务商、竞争格局改善背景下,看好洁净室企业毛利率整体提升。3.区域分化、竞争烈度降低,内资洁净室服务商先发优势显著:海外订单大幅放量下,母公司具有丰富海外客户资源的台资企业或持续转向高毛利海外订单,本轮国内存储扩产项目或由深桑达A、柏诚股份占有较多份额。市场测算:如实现完全国产化替代,还需洁净室投资超2000亿元。NAND、DRAM(含HBM)、7nm以下先进制程每万片月产能投资分别为37、51、400亿元,当前供给缺口分别达69、52、23万片/月。按供给缺口计算实现100%国产替代需总投资14394亿元,其中NAND2546亿元、DRAM(含HBM)2648亿元、先进制程逻辑芯片9
5、200亿元。洁净室占晶圆厂投资约15%,如实现完全国产化替代,洁净室市场空间可达2159亿元。投资建议:重点推荐柏诚股份(长鑫、长江存储长期合作供应商)、深桑达A(国内洁净室服务龙头),关注亚翔集成、圣晖集成、太极实业。一、下游复盘:技术封锁下国产替代带动三轮投资,新一轮存储扩产推动洁净室高景气突破技术封锁,半导体国产替代进行时。2018年以来,美国对华半导体限制从单点企业制裁逐步升级为设备、EDA、先进制程、投资、人才流动的系统性遏制框架。和美国限制同步,我国开始长期资本+制度支持+重点环节攻坚的三层结构产业扶持。技术封锁:从点到面、从高端到常规,逐步覆盖芯片设计、制造、设备、EDA软件、材
6、料等各个环节。2018年中兴被禁止购买美国产半导体芯片和设备,2019-2020年华为及多家关联企业接连被加入“实体清单”,芯片设计和获得先进工艺代工服务一度受阻。2022年,美国正式通过芯片与科学法案,限定获得美方投资与技术支持的企业在未来十年内不得在中国新建或扩建先进制程(14nm以下)的工厂。2023-2026年,禁令范围进一步扩大,针对HBM等前沿领域施加更为严密的出口管制,并加强长臂管辖,限制ASML的EUV/DUV光刻机对我国出口。2026年4月2日,美国国会两党议员正式提出硬件技术控制多边协调法案(MATCH法案)要求盟国于150天内在对华半导体设备出口上采取与美国相同的限制措施