1、投资评级:看好(维持)存储芯片与设备行业专题报告相关报告核心观点AI需求带动存储器芯片需求:自2024年起,AI与服务器领域的DRAM消耗量大幅增长。这一趋势预计将持续,到2026年占DRAM总产能的比例将达到66%。AI与服务器对DRAM的消耗不再局限于HBM和DDR5,还正拓展至LPDDR和图形DRAM领域。需求旺盛,供不应求导致存储器价格飙升:TrendForce数据显示,2025年第三季度,DRAM价格较去年同期大幅上涨171.8%。涨势在第四季度持续发酵,甚至一度导致三星、SK海力士、美光等原厂暂停DDR5合约报价,市场陷入极度紧张状态。2025年下半年,LPDDR的整体价格涨幅超5
2、0%。中国存储产业的双引擎奋力破局:全球存储市场集中度较高,竞争格局较为稳定,三星、SK海力士、美光等厂商稳居前列;国产存储芯片企业奋起直追。DRAM芯片龙头长鑫存储已实现DDR5/LPDDR5X的技术突破与产品供应,出货量有望逐步攀升。国产NANDFlash龙头厂商长江存储已实现QLC、TLC等多款产品的技术突破。据Counteropint预测,长鑫存储于2025年7月正式启动上市辅导,积极融资。长鑫存储2025年DRAM出货量将同比增长50%,其全球出货量份额预计从2025年第一季度的6%提升至第四季度的8%。外部限制措施不断强化:美国自2022年以来,通过多轮规则限制对华出口先进半导体制
3、造设备及相关技术。日本政府亦于2025年将涉及先进半导体制造设备的21个物项纳入出口管制;海外限制措施不断强化,驱动国内存储器晶圆厂转向国产设备。国内上市公司积极推进国产设备研发:中微公司刻蚀设备、LPCVD等新产品取得持续进展。北方华创2025年上半年完成收购芯源微,完善了在半导体装备领域的产品线布局。拓荆科技的先进制程的验证机台已顺利通过客户认证,逐步进入规模化量产阶段。中科飞测的核心量检测设备已进入国内多家头部客户产线,并实现小批量出货。这些上市公司及更多其他国内公司有望在长江存储、长鑫存储未来的扩产中取得更多订单。投资建议:建议关注中微公司、北方华创、拓荆科技、中科飞测、华海清科、芯源
4、微、富创精密等半导体领域企业。风险提示:存储器需求不及预期;技术研发不及预期;海外供应链风险。1存储芯片需求快速增长,推动全球扩产1.1存储市场需求复苏稳健,存储价格持续上涨存储芯片作为半导体行业的核心分支,其价格波动具有显著的周期性,主要受供需关系、技术迭代及下游应用需求变化驱动。2023、2024年,受全球宏观经济弱复苏、消费电子需求疲软及库存去化压力影响,存储芯片市场经历了一轮价格疲软期;而2025年,随着生成式AI技术的爆发式应用,AI服务器、企业级存储等高端场景对存储芯片的需求激增,叠加供给端扩产谨慎,存储芯片价格迎来全面暴涨。(divcenter)图1:DRAM市场周期性规律(/d
5、ivcenter)旺盛的需求带动存储产品平均售价持续上扬,存储市场产值上涨。DRAM的增长主要由服务器市场驱动,尤其是北美云服务提供商(CSPs)的订单稳步增加。得益于AI服务器的快速部署,2026年的需求量增长预期已被上调。根据TrendForce预测,2026年DRAM的平均售价有望同比增长58%。各类DRAM产品价格走势源于供需的周期性错配与技术迭代的结构性转换。2025年上半年,需求温和复苏而供应增长滞后,价格开始小幅爬升。进入下半年,AI服务器、新设备换机潮带动DDR5/LPDDR5X等高性能内存需求爆发,同时产能加速向新技术迁移,导致DDR4等成熟产品出现结构性短缺,推动价格在Q3
6、-Q4大幅跃升,尤其在服务器和消费领域。而2026年,如上图TrendForce预测数据所示,各产品价格同比增速放缓,随着新增产能释放与技术迭代逐步完成,供应紧张缓解,市场从过热转向平稳,价格上涨动能减弱,行业进入新一轮的平衡期。TrendForce预测NANDFlash的供应端紧张态势将持续至2026年,主要受限于位元增长率有限、资本支出较低以及HDD短缺难以填补,这些因素将共同推动价格保持上涨趋势。需求端,受经济逆风影响,消费端需求预计将同比持平,但来自数据中心领域的巨大需求将完全抵消这一影响,数据中心依然是市场的主要增长动力。根据TrendForce预测,2026年EnterpriceS