利基型存储深度报告：供需拐点已至国产厂商百花齐放-241123（43页）.pdf

1、本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 1 利基型存储深度报告 供需拐点已至，国产厂商百花齐放 2024 年 11 月 23 日 利基型存储：专注特定应用需求场景。利基型存储指相对于主流存储产品占据较小市场份额的存储产品，主要包括利基型 DRAM、SLC NAND 和 NOR Flash等。产品属性上，利基型 DRAM 在制程和容量上落后主流存储若干代际，适用于较小容量存储场景。从终端用途上看，利基型 DRAM 通常用于消费电子、通信、物联网、工控、车规等市场，产品生命周期较标准型更长；SLC NAND 存储密度最小，但使用寿命更长，终端应用多为可靠性要求高的

2、领域，如工业自动化设备、通信基站等；NOR Flash 则能够在芯片内直接运行小型程序，响应速度快，性能比 NAND 更稳定，且小容量下更具成本优势。供需好转，利基型存储涨价拐点向上。存储芯片标准化程度高，可替代性强，具备大宗商品属性，其价格对供需敏感，价格呈强周期性。自 23H2 以来，受益于存储大厂收缩供给、数据中心等下游需求持续旺盛，NAND 和 DRAM 价格逐渐回升。而利基型存储价格仍在底部，涨幅不及标准型。未来海外大厂持续退出利基市场+消费市场复苏有望成为利基存储的回升动力。解读三大主要利基型产品的市场空间和成长路径。利基型存储有广阔市场空间，2024 年全球利基型 DRAM/SL

3、C NAND/NOR Flash 市场规模预计分别为95.7 亿美元/23 亿美元/26.9 亿美元。各类型的供需格局如下：1）利基型 DRAM：利基型产品占 DRAM 份额稳定 10%，制程升级、产品差异化是厂商竞争核心。国内厂商兆易创新、北京君正、东芯股份等布局了利基型DRAM 产品，供需两侧均有积极变化：DDR5 和 HBM 需求挤占产能，海力士、三星相继宣布退出 DDR3，而 AI 终端有望带来利基型 DRAM 容量升级。2）SLC NAND：网通等传统应用中设备升级换代 SLC 增长逻辑，大容量下 SLC比 NOR 更具成本优势。供给端，国内厂商主要有兆易创新、东芯股份、江波龙等，海

4、外龙头三星在逐步退出 SLC 市场。3）NOR Flash：行业龙头多为台系厂商，本土厂商兆易创新 2023 年市占率跃居全球第二，此外普冉、恒烁、聚辰亦快速成长。制程迭代、容量升级为 NOR的主要发展路径，车规 NOR 是国产厂商主要发力的增量市场。投资建议：受益于高端存储供应紧张，原厂转移产能，利基型存储供需改善；叠加下游需求稳定增长，建议关注：兆易创新（NOR Flash/DRAM/SLC NAND）、东 芯 股 份（SLC NAND/DRAM/NOR Flash）、北 京 君 正（DRAM/SLC NAND/NOR Flash）、普冉股份（NOR Flash）、恒烁股份（NOR Fla

5、sh）。风险提示：终端需求增长不及预期风险；存储行业供给超预期增长风险；行业竞争加剧风险 重点公司盈利预测、估值与评级 代码 简称 股价（元）EPS（元）PE（倍）评级 2023A 2024E 2025E 2023A 2024E 2025E 603986.SH 兆易创新 84.38 0.24 1.74 2.55 348 48 33 推荐 688766.SH 普冉股份 79.10-0.46 2.85 3.51 /28 23 推荐 300223.SZ 北京君正 68.10 1.12 0.93 1.24 61 73 55 推荐 688110.SH 东芯股份 22.17-0.69 -0.03 0.32

6、/69-688416.SH 恒烁股份 33.01-2.09 /-资料来源：Wind，民生证券研究院预测;（注：股价为 2024 年 11 月 22 日收盘价，未覆盖公司盈利预测采用 wind 一致预期）推荐 维持评级 分析师 方竞 执业证书：S0100521120004 邮箱： 分析师 张文雨 执业证书：S0100524060002 邮箱： 相关研究 1.电子行业动态：体验之 Apple Intelligence VS 智谱 GLM-2024/11/20 2.半导体行业周报：国产替代的脊梁-2024/11/11 3.电子行业点评：云商资本开支稳步增长，算力需求持续旺盛-2024/11/08 4