电子行业专题报告：先进封装专题三代工、IDM厂商先进封装布局各显神通-231117（23页）.pdf

1、行 业 研 究 2023.11.17 1 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 电 子 行 业 专 题 报 告 先进封装专题三：代工、IDM 厂商先进封装布局各显神通 分析师 郑震湘 登记编号：S1220523080004 佘凌星 登记编号：S1220523070005 刘嘉元 登记编号：S1220523080001 行 业 评 级:推 荐 行 业 信 息 上市公司总家数 495 总股本(亿股)4,975.55 销售收入(亿元)45,290.82 利润总额(亿元)3,466.42 行业平均 PE 70.27 平均股价(元)34.36 行 业 相 对 指 数 表 现 数据来

2、源：wind 方正证券研究所 相 关 研 究 vivo 首款端侧 AI 手机强势发布，拥抱 AI手机新机遇2023.11.14 先进封装专题二：HBM 需求井喷，国产供应链新机遇2023.11.14 华为智能汽车专题四：阿维塔 12 大超预期，智能驾驶全面升级2023.11.13 港股消费电子专题：钛合金加速导入，潜望镜及终端侧 AI 趋势确立2023.11.10 先进封装技术趋势在于提高先进封装技术趋势在于提高 I/OI/O 数量及传输速率，以实现芯片间的高速互数量及传输速率，以实现芯片间的高速互联联，市场格局呈现出明显的马太效应，市场格局呈现出明显的马太效应，Fab/IDMFab/IDM

3、厂和厂和 OSATOSAT 错位竞争。错位竞争。2016年先进封装市场 CR5 占比 48%，2021 年提升至 76%，强者恒强。Fab/IDM 厂和 OSAT 厂各自发挥自身优势，Fab/IDM 厂凭借前道制造优势和硅加工经验，主攻 2.5D 或 3D 封装技术，而 OSAT 厂商则聚焦于后道技术，倒装封装仍是其主要产品。封测技术主要指标为凸点间距（Bump Pitch），凸点间距越小，封装集成度越高，难度越大，台积电 3D Fabric 技术平台下的 3D SoIC、InFO、CoWoS 均居于前列，其中 3D SoIC 的凸点间距最小可达 6um，居于所有封装技术首位。台积电：整合构建

4、台积电：整合构建 3 3D FabricD Fabric 平台，先进制程持续演进平台，先进制程持续演进。布局 SoIC、CoWoS、InFO 技术，搭建 3DFabric 技术平台，提供从前端到后端完全集成的同构和异构集成。SOIC 为垂直芯片堆叠 3D 拓扑封装，可与 CoWoS、InFO 共用，AMD是首发客户，最新的 MI300 即以 SoIC 搭配 CoWoS。苹果考虑后续在 Macbook中使用 SOIC 搭配 InFO 技术，目前正处小批量试产中。CoWoS 主要针对需要整合先进逻辑和高带宽存储器的 HPC 应用，目前已支持超过 25 个客户的140多种CoWoS产品，当前主要提供

5、三种不同的转接板技术：CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L。InFO 是创新的晶圆级系统集成技术平台，具有高密度 RDL 和TIV，用于各种应用的高密度互连和性能，主要有 InFO_PoP、InFO_oS 两种产品。相对来说，CoWoS 的性能更好，但成本较高；InFO 则采用 RDL 代替硅中介层，无须 TSV，性价比更高。三星：三星：I I-CubeCube 和和 X X-CubeCube 提供提供 2.5D&3D2.5D&3D 解决方案解决方案。三星提供了 2.5D 和 3D 在内的丰富的先进封装交钥匙解决方案。包括 I-CubeS、I-CubeE、X-Cube(TCB)和 X

6、-Cube(HCB)四个不同的封装类型：1）I-CubeS 和 I-CubeE 都是2.5D 封装技术的代表：它们的技术特点是，在一个 85x85mm的封装中，可以同时放置多个 HBM（目前是 8 个），并且互连层的面积是一个标准光罩的三倍，即 3x reticle；2）3D 封装技术 X-Cube(TCB)和 X-Cube(HCB)：区别在于是否使用凸块连接技术，X-Cube(HCB)微凸块间距和硅片厚度仅为4m 和 10m，精度提升。英特尔英特尔：EMIBEMIB 和和 3D Foveros3D Foveros 持续演进。持续演进。当前 2.5D 封装的主流方案包括：以台积电的 CoWos