【爱建证券】电子行业周报：筑牢本土存储根基，长鑫科技登陆科创板赋能国产DRAM突围-260727（8页）.pdf

核心结论速览： 长鑫科技（688825.SH）7月27日登陆科创板，国内唯一12英寸DRAM规模化量产龙头开启资本新征程：经上交所审核同意，长鑫科技于7月27日登陆科创板。本次发行定价8.66元/股，发行后总股本668.81亿股，发行市盈率308.92倍。IPO拟募集资金295亿元，重点投向12英寸存储器晶圆制造基地扩产、先进存储工艺迭代研发、HBM高带宽内存核心技术攻关。网上有效申购户数突破942万户，弃购率仅0.17%。（数据来源：爱建证券《筑牢本土存储根基，长鑫科技登陆科创板赋能国产DRAM突围》）。 长鑫科技2026H1归母净利润预计500-570亿元，同比增幅达2244%-2544%：AI算力扩张带动存储芯片需求上行、行业供给收缩推升DRAM产品价格，叠加自身产能稳步释放、制造良率持续优化，行业量价共振推动业绩实现高增。公司盈利大幅修复核心依托量价共振。（数据来源：爱建证券《筑牢本土存储根基，长鑫科技登陆科创板赋能国产DRAM突围》）。 DRAM设备2026年预计增长39.0%至388亿美元，HBM需求驱动扩产：HBM相关DRAM扩产是存储设备需求的核心增量。长鑫科技预计2026年将显著加大资本开支力度，年末月产能攀升至30万片，并计划启动HBM产线建设。本次IPO募资落地将大力支撑后续产能扩张。（数据来源：爱建证券《筑牢本土存储根基，长鑫科技登陆科创板赋能国产DRAM突围》）。 Alphabet 2026Q2 Google Cloud同比增长81.80%，上调全年资本开支至1950-2050亿美元：企业级AI基础设施与配套解决方案需求旺盛，云业务高增验证AI算力需求持续爆发。新增资本开支集中投向AI算力硬件部署，将长期拉动GPU、高带宽存储、先进封装等上游元器件需求。（数据来源：爱建证券《筑牢本土存储根基，长鑫科技登陆科创板赋能国产DRAM突围》）。 Intel 2026Q2数据中心与AI业务同比增长58.97%，算力芯片与先进代工景气持续兑现：Intel Q2营收161.28亿美元（同比+25.42%），创15年单季最高增速。数据中心与AI业务62.62亿美元（同比+58.97%），IFS代工业务57.65亿美元（同比+30.52%）。全球AI服务器硬件需求持续上行，算力芯片与先进代工赛道景气度有望持续兑现。（数据来源：爱建证券《筑牢本土存储根基，长鑫科技登陆科创板赋能国产DRAM突围》）。 长鑫科技上市是国产存储芯片产业链的历史性里程碑，存储板块量价齐升逻辑清晰：爱建证券认为，长鑫科技为国内唯一实现12英寸DRAM规模化量产龙头，伴随产能持续释放、制造良率稳步优化，将充分受益本轮存储上行周期。AI算力需求持续爆发拉动服务器端DRAM、HBM需求显著上行，行业供给收缩支撑存储产品价格持续走高。（数据来源：爱建证券《筑牢本土存储根基，长鑫科技登陆科创板赋能国产DRAM突围》）。国产DRAM的历史性突破：长鑫科技登陆科创板。从“缺芯少存”到“自主供给底座”。存储芯片是半导体产业的核心品类之一，DRAM市场长期由三星、SK海力士、美光三家外资巨头垄断。长鑫科技作为国内唯一实现12英寸DRAM规模化量产的企业，其登陆科创板标志着中国在存储芯片领域的自主化进程迈出关键一步。长鑫科技目前在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，预计2026年将显著加大资本开支力度、年末月产能攀升至30万片，并计划启动HBM产线建设。本次IPO募资295亿元将重点投向产能扩张与HBM技术攻关，持续夯实国内DRAM自主供给底座。IPO详情：295亿元募资，认购热度充足。发行信息：发行定价8.66元/股；超额配售选择权行使前，发行后总股本668.81亿股，摊薄后发行市盈率308.92倍。本次发行全部为新股，不存在老股转让。认购热度：网上有效申购户数突破942万户，网下、网上合计弃购率仅0.17%。在A股市场整体偏弱的背景下，长鑫科技IPO获得如此高的认购热度，反映了市场对国产DRAM龙头的强烈看好。募投方向：12英寸存储器晶圆制造基地扩产、先进存储工艺迭代研发、HBM高带宽内存核心技术攻关。业绩高增：量价共振驱动盈利爆发。2026H1长鑫科技预计实现营业收入1100-1200亿元，同比增长612.53%-677.31%；归母净利润500-570亿元，同比增幅达2244.03%-2544.19%。量：AI算力扩张带动存储芯片需求上行，服务器端DRAM需求旺盛；产能稳步释放，月产能向30万片迈进。价：行业供给收缩推升DRAM产品价格，存储芯片价格持续走高。率：制造良率持续优化，单位制造成本下降。量、价、率三重共振，推动业绩实现爆发式增长。存储芯片的量价齐升逻辑。需求端：AI算力扩张驱动存储需求上行。AI服务器中DRAM/NAND需求量分别约为传统服务器的8/3倍。随着大模型参数指数级扩张，存储组件逐步成为系统架构核心，HBM高带宽内存需求尤为旺盛。长鑫科技计划启动HBM产线建设，直接切入AI存储芯片核心赛道。Alphabet上调资本开支至1950-2050亿美元、Intel数据中心业务+58.97%均验证AI算力基础设施建设的加速，为存储芯片需求提供长期支撑。供给端：行业收缩支撑价格走高。DRAM市场长期由三星、SK海力士、美光三家垄断。2025Q4三家合计市占率90.5%。行业供给收缩推升DRAM产品价格，存储芯片价格持续走高。HBM：AI驱动的存储新赛道。HBM（高带宽内存）是AI服务器GPU的核心配套芯片，随着AI算力需求爆发，HBM市场快速增长。长鑫科技本次IPO募资重点投向HBM核心技术攻关，有望在AI存储芯片领域实现突破。Alphabet与Intel财报验证算力需求。Alphabet：Google Cloud+81.80%，资本开支上调至1950-2050亿美元。2026Q2 Alphabet实现总营收1197.96亿美元（同比+24.23%），连续12季度双位数增长。Google Cloud单季营收247.68亿美元（同比+81.80%），企业级AI基础设施需求旺盛。资本开支上调至1950-2050亿美元（较此前上调150亿美元），集中投向AI算力硬件部署。海外头部云厂商持续加码算力基建，将长期拉动GPU、高带宽存储、先进封装等上游元器件需求。Intel：15年最高增速，算力芯片景气兑现。2026Q2 Intel营收161.28亿美元（同比+25.42%），创15年单季营收最高增速。数据中心与AI业务62.62亿美元（同比+58.97%），IFS代工业务57.65亿美元（同比+30.52%）。Non-GAAP净利润21.97亿美元，同比扭亏。Intel数据中心业务高速增长验证全球AI服务器硬件需求持续上行，晶圆代工业务同步放量，算力芯片与先进代工赛道景气度有望持续兑现。长鑫科技产业链受益逻辑。设备环节。长鑫科技扩产将直接拉动半导体设备需求。DRAM设备2026年预计增长39.0%至388亿美元，存储扩产对设备需求的拉动最为显著。关注北方华创、中微公司、拓荆科技等设备龙头。材料环节。存储芯片扩产带动硅片、光刻胶、靶材、特种气体等半导体材料需求。关注沪硅产业、安集科技、江丰电子等材料标的。封测环节。HBM先进封装需求增长，关注通富微电、长电科技、华天科技等封测龙头。模组与终端。存储模组及SSD、内存条等终端产品受益于存储价格上涨，关注兆易创新、北京君正等。投资行动指南。核心公式：存储板块投资价值 = 长鑫科技（国产替代唯一龙头）× AI算力（需求端爆发）× 供给收缩（价格端支撑）。起步三步：1. 关注长鑫科技上市后表现：7月27日登陆科创板，关注其估值定价、机构配置及产业链联动效应。2. 跟踪HBM产线建设进展：长鑫科技计划启动HBM产线建设，是切入AI存储核心赛道的关键变量。3. 布局存储产业链上游：设备、材料、封测等环节受益于存储扩产，景气传导明确。避坑指南： 存储行业具备极强周期属性，供需格局极易随厂商扩产节奏反转，需警惕周期拐点。 长鑫科技发行市盈率308.92倍，估值处于较高水平，需关注业绩兑现节奏。 若海外存储大厂加速扩产或下游消费电子终端需求持续低迷，存储芯片价格或快速回落。分阶段实施建议： 短期：关注长鑫科技上市首日表现及存储板块情绪催化。 中期：跟踪长鑫科技产能释放节奏、HBM产线建设进展、存储价格趋势。 长期：布局国产存储芯片产业链的结构性成长机会。延伸阅读：以上为报告核心趋势分析，如需获取完整报告详细数据及全部案例，请访问下载页下载完整PDF报告。FAQ。Q1：长鑫科技（688825.SH）的IPO详情如何？A1：长鑫科技于2026年7月27日登陆科创板，发行价8.66元/股，发行后总股本668.81亿股，发行市盈率308.92倍。拟募集资金295亿元，重点投向12英寸存储器晶圆制造基地扩产、先进存储工艺迭代研发、HBM核心技术攻关。网上有效申购户数突破942万户，弃购率仅0.17%。（数据来源：爱建证券《筑牢本土存储根基，长鑫科技登陆科创板赋能国产DRAM突围》）。Q2：长鑫科技2026H1业绩为何实现爆发式增长？A2：预计营收1100-1200亿元（+612%-677%），归母净利润500-570亿元（+2244%-2544%）。核心驱动力是量价共振——AI算力扩张带动存储需求上行、行业供给收缩推升DRAM价格、产能稳步释放、制造良率持续优化。（数据来源：爱建证券《筑牢本土存储根基，长鑫科技登陆科创板赋能国产DRAM突围》）。Q3：Alphabet财报如何验证AI算力需求？A3：Alphabet Q2营收1197.96亿美元（+24.23%），Google Cloud 247.68亿美元（+81.80%）。公司上调全年资本开支至1950-2050亿美元，集中投向AI算力硬件部署，验证全球AI算力资本开支上行周期延续。（数据来源：爱建证券《筑牢本土存储根基，长鑫科技登陆科创板赋能国产DRAM突围》）。Q4：长鑫科技的产业地位是什么？A4：长鑫科技是国内唯一实现12英寸DRAM规模化量产的企业。目前在合肥、北京共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，预计2026年末月产能攀升至30万片，并计划启动HBM产线建设。本次IPO募资落地将大力支撑后续产能扩张。（数据来源：爱建证券《筑牢本土存储根基，长鑫科技登陆科创板赋能国产DRAM突围》）。Q5：爱建证券对电子行业的投资建议是什么？A5：建议关注国产存储芯片产业链相关标的投资机会。长鑫科技为国内唯一12英寸DRAM规模化量产龙头，伴随产能持续释放、制造良率稳步优化，将充分受益本轮存储上行周期。AI算力需求持续爆发拉动DRAM、HBM需求，存储板块量价齐升逻辑清晰。（数据来源：爱建证券《筑牢本土存储根基，长鑫科技登陆科创板赋能国产DRAM突围》）。数据来源说明：本报告数据主要来源于爱建证券《筑牢本土存储根基，长鑫科技登陆科创板赋能国产DRAM突围》（2026年7月27日），数据来源于iFinD、公司公告等公开渠道。