当前位置:首页 > 报告详情

2026年封装测试行业投资策略(半导体中游系列研究之十三):先进封装大时代本土厂商崭露头角-260311(28页).pdf

上传人: Di****s 编号:1154667 2026-03-12 28页 1.56MB

下载:

1、先进封装大时代,本土厂商崭露头角投资要点HBM+CoWoS组合成为Al等算力芯片标配,带动先进封装需求激增。根据Chiplnsights数据,全球OSAT行业延续复苏态势,2025年合计实现销售3332亿元,yen0。HPC、AI驱动,2.5D/3D等先进封装平台需求激增,尤其是CoWoS相关产能供不应求。先进封装未来关键技术方向主要为材料和架构创新。1)2.5D中介层变化如RDL、嵌入式硅桥、玻璃、PIC、SiC等;2)在封装环节中玻璃的使用,板级封装(PLP)或替代WLP来提升产能效率;3)3D架构下的互联环节增量如混合键合、TSV+ubump等;4)高集成架构CPO,即在同一基板上组装E

2、IC/PIC以及ASIC,利好半导体供应商。海外全环节进入资本开支高峰期。TSMC与非TSMC阵营皆上调2026年CoWoS产能扩张规模,在成本效率及风险分散两大考量下,订单外溢将扩大OSAT在AI芯片市场的版图。国产替代背景下,中国本土OSAT厂商加速崛起。关注三个方向:1)2026年中国本土先进制程供给扩张进度有望超预期,AI相关算力芯片放量对后道配套能力提出更高要求;2)国产存储IDM份额持续提升,先进封装的增量主要是TSV和键合工艺;3)涨价与扩产周期共振,封测服务价格中枢持续抬升。重点标的:通富微电(加码高端封装,与AMD共同成长)、盛合晶微(2.5D平台国内领先)、甬矽电子(先进封

3、装新军),汇成股份(重点规划DRAM封测建设)、深科技(深度配套本土存储IDM)、伟测科技(高端测试布局领先,持续加大资本开支)等。风险提示:国际贸易摩擦风险;先进封测业务固定资产投资规模较大风险;市场竞争加剧风险。主要内容(divcenter)#风险提示(/divcenter)国际贸易摩擦风险。目前,中国大陆半导体产业链还相对薄弱,与集成电路先进封测行业配套的相关产业尚未完全成熟,尤其部分关键设备和原材料仍主要需要从境外供应商进口。若供应商所在国出台相关贸易限制性政策,构建贸易壁垒,使得相关设备或原材料出现价格上涨、供应短缺或供应中断的情况,将面临采购成本上升、供应链稳定性受到影响等风险,从

4、而对经营发展产生一定的不利影响。先进封测业务固定资产投资规模较大的风险。集成电路先进封测涉及多学科、多领域的交叉,技术难度大,且需要随着芯片产品的更新迭代而持续研发;此外,集成电路先进封测涉及大量晶圆处理工艺,且对洁净度、精细度、自动化等的要求较高,因此需要大量晶圆制造设备,以及先进的封装设备、测试设备、自动化生产线等,此类设备或产线通常价格较为昂贵,需要大量的固定资产投入。市场竞争加剧的风险。近年来,先进封装的市场规模及占总体封测市场的比重均持续上升,吸引了大量的市场参与者。一方面,领先的综合型封测企业凭借强大的资金和技术实力以及优质的客户基础扩大在先进封装环节的投资,另一方面,新兴的先进封测企业凭借在特定领域积累的技术以及吸收的资本市场投资进入先进封装行业。现有市场参与者扩大产能及新兴市场参与者的进入,将可能导致市场竞争加剧甚至出现行业产能过剩的状况。

word格式文档无特别注明外均可编辑修改,预览文件经过压缩,下载原文更清晰!
三个皮匠报告文库所有资源均是客户上传分享,仅供网友学习交流,未经上传用户书面授权,请勿作商用。
1. **行业规模增长**:2025年全球OSAT行业营收3332亿元(YoY+9.9%),HBM+CoWoS组合驱动先进封装需求激增,CoWoS产能供不应求。 2. **技术方向**:先进封装核心为材料与架构创新,包括2.5D中介层(玻璃、RDL等)、PLP面板级封装、3D混合键合及CPO高集成架构。 3. **资本开支高峰**:台积电与非台积电阵营上调2026年CoWoS产能,订单外溢扩大OSAT在AI市场版图。 4. **本土崛起**:中国OSAT市占率超30%,2026年本土7nm/6nm供给扩张超预期,存储IDM份额提升带动TSV/键合工艺需求。 5. **涨价与扩产**:封测服务价格中枢抬升(如HBM ASP 17.18美元),国内厂商加速扩产(通富微电定增44亿、盛合晶微募资48亿)。 6. **重点标的**:通富微电(AMD合作)、盛合晶微(2.5D国内领先)、甬矽电子(先进封装新军)等。
**先进封装趋势?** **本土OSAT崛起?** **AI芯片封测机遇?**
客服
商务合作
小程序
服务号
折叠