【国开证券】存储行业专题报告：传统终端需求放缓 HBM成新驱动-241231（6页）.pdf

1、 务必阅读正文之后的免责条款 行行 业业 研研 究究 证证 券券 研研 究究 报报 告告 行行 业业 专专 题题 报报 告告 宏观宏观研究研究 传统终端需求放缓传统终端需求放缓 HBM 成新驱动成新驱动 存储行业专题报告存储行业专题报告 分析师：分析师：崔国涛 执业证书编号：S1380513070003 联系电话：010-51789093 邮箱： 研究助理：研究助理：邓垚 执业证书编号：S1380116110007 联系电话：010-51789074 邮箱： 分析师：分析师：邓垚 执业证书编号：S1380519040001 联系电话：010-88300849 邮箱： 半导体半导体（申万申万）与

2、沪深与沪深 300 走势图走势图 资料来源：Wind，国开证券研究与发展部 行业评级行业评级 中性 相关报告相关报告 5G 叠加国产替代 半导体设备加速成长2020 年电子行业策略报告 景气与政策共振 半导体国产化空间广阔 2021 年电子行业策略报告 短期扰动不改长期成长 关注设备及功率半导体2022 年一季度半导体行业分析与展望 关注汽车电子及新能源等驱动下结构性机会 2022 年半导体行业中期策略报告 新能源及信创等驱动强劲 需求有望逐步复苏2024 年半导体行业策略报告 AI 驱动行业持续成长2024 年电子行业策略报告 2024 年年 12 月月 31 日日 内容提要：内容提要：受传

3、统终端需求影响受传统终端需求影响 DRAM和和NAND价格再度走低。价格再度走低。受下游库存高企及需求疲软的影响，23年上半年存储产品经历了量价持续下跌，而后随着存储厂商主动减产及终端复苏，下游库存水位逐渐回归正常，23年9月DRAM价格开始回升，后续期间小幅波动，直至24年7月再度走低，截至24年12月31日，通用PC DRAM产品（DDR4 8Gb 1Gx8）现货平均价较7月高点下跌20.44%；通用NAND产品（128Gb 16Gx8 MLC）23年10月-24年3月连续上涨，后续期间价格基本稳定，直至9月重回跌势，截至24年11月底，128Gb 16Gx8 MLC合约价较8月高点下降5

4、6%。AI及及HPC等驱动下等驱动下 HBM需求快速增长。需求快速增长。受益于AI驱动下HBM、DDR5等需求拉动，2024年前三季度全球存储市场整体呈现增长，据CFM闪存市场数据，2024年前三季度全球存储市场同比增幅达96.8%。存储芯片龙头海力士、三星和美光在HBM市场形成垄断格局；同时HBM3e平均售价约为传统DRAM产品的3-5倍，随着英伟达H系列、B系列等算力芯片的迭代升级，HBM3e产能亦将持续扩张。我国为全球最大我国为全球最大DRAM市场市场 近期近期DDR5迎来突破迎来突破。23年我国存储市场规模逆势增长9.3%，明显好于同期全球-29.1%的增速，且是全球最大的DRAM市场

5、，比重达1/3。24年12月，国产内存制造商金百达与光威相继推出基于国产颗粒的DDR5内存产品，标志着国产存储的又一突破。DDR5传输速率、带宽、能效等方面较DDR4有显著提升，能更好地支持AI模型高效运行，AI手机、PC等终端应用加速渗透进程将催化DDR5需求快速增长，随着产品良率和产能的提升，国产DDR5市场份额有望增长。我们认为，我们认为，一方面一方面从需求来看，尽管24年以来AI和高性能计算驱动下HBM需求快速增长，但当前渗透占比仍为个位数，主要需求仍集中在消费电子、汽车、工控等传统终端领域，而这些领域的需求复苏总体来说不及预期；另一方面另一方面供给端增长较快，导致了存储行业周期性波动

6、，预计厂商为应对市场调整，或再度面临减产压力。中长期来看，随着AI模型参数规模不断增大、HPC算力需求攀升，以及GPU/ASIC加速器在带宽和能耗比上的要求越来越高，HBM、DDR5需求将快速增长，并在带宽、堆叠层数、容量和能效方面持续升级，以支撑高性能应用；叠加终端新一轮创新周期的开启、芯片国产化进程提速等因素，存储市场向上空间将进一步打开，芯片产业链设备、先进封装等环节亦将迎来持续成长。给予行业“中性”评级。风险提示风险提示：全球宏观经济下行，贸易摩擦加剧，技术创新不达预期，下游需求不达预期，业绩增长低于预期，中美关系进一步恶化，黑天鹅事件，国内经济复苏低于预期，国内外二级市场系统性风险等